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龙图腾网获悉臻驱科技(上海)有限公司申请的专利一种双面散热的功率半导体模块及封装组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410150085.5，技术领域涉及：H10W40/25；该发明授权一种双面散热的功率半导体模块及封装组件是由夏雨昕;王明阳设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面散热的功率半导体模块及封装组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双面散热的功率半导体模块及封装组件，包括第一衬底与第二衬底，第一衬底与第二衬底均包括贴合设置的连接铜层、绝缘介质层及外覆铜层；第一衬底的连接铜层与第二衬底的连接铜层相对；第一衬底的连接铜层上设置有上桥臂芯片，第一衬底的连接铜层与上桥臂芯片的焊点面连接，第二衬底的连接铜层与上桥臂芯片的上表面连接；第二衬底的连接铜层上设置有下桥臂芯片，第二衬底的连接铜层与下桥臂芯片的焊点面连接，第一衬底的连接铜层与下桥臂芯片的上表面连接；在第一衬底的连接铜层与第二衬底的连接铜层之间于两侧分别设置有信号端子与功率端子。采用本技术方案后，功率半导体模块及封装组件实现双面散热，并具有小尺寸和高功率密度。

本发明授权一种双面散热的功率半导体模块及封装组件在权利要求书中公布了：1.一种双面散热的功率半导体模块，其特征在于， 包括第一衬底与第二衬底，所述第一衬底与所述第二衬底均包括贴合设置的连接铜层、绝缘介质层及外覆铜层，所述绝缘介质层设置于所述连接铜层与所述外覆铜层之间； 所述第一衬底与所述第二衬底间隔并于竖直方向重合，使所述第一衬底的连接铜层与所述第二衬底的连接铜层相对； 所述第一衬底的连接铜层上设置有上桥臂芯片，所述第一衬底的连接铜层与所述上桥臂芯片的焊点面连接，所述第二衬底的连接铜层与所述上桥臂芯片的上表面连接； 所述第二衬底的连接铜层上设置有下桥臂芯片，所述第二衬底的连接铜层与所述下桥臂芯片的焊点面连接，所述第一衬底的连接铜层与所述下桥臂芯片的上表面连接； 在所述第一衬底的连接铜层与所述第二衬底的连接铜层之间于两侧分别设置有信号端子与功率端子，信号端子设置为条状金属，功率端子设置为片状金属； 所述第一衬底与所述第二衬底间隔安装于绝缘外壳内并于竖直方向重合，使所述第一衬底的连接铜层与所述第二衬底的连接铜层相对，所述第一衬底的外覆铜层与所述第二衬底的外覆铜层相背并分别露出于所述绝缘外壳之外； 所述信号端子与所述功率端子分别沿水平方向露出于所述绝缘外壳的两侧之外； 所述第一衬底的连接铜层包括相互绝缘的第一主铜箔、第二主铜箔及第三主铜箔，所述第二衬底的连接铜层包括相互绝缘的第四主铜箔、第五主铜箔及第六主铜箔； 所述第一主铜箔连接所述上桥臂芯片的焊点面，所述第二主铜箔连接所述下桥臂芯片的上表面，所述第六主铜箔连接所述下桥臂芯片的焊点面及所述上桥臂芯片的上表面； 所述功率端子包括直流正极端子、直流负极端子及交流端子，所述直流正极端子连接所述第一主铜箔与所述第四主铜箔，所述直流负极端子连接所述第二主铜箔与所述第五主铜箔，所述交流端子连接所述第三主铜箔与所述第六主铜箔； 换流回路电流从所述直流正极端子进入所述第一主铜箔，流经所述上桥臂芯片后进入所述第六主铜箔，流经所述交流端子及所述下桥臂芯片，而后进入所述第二主铜箔，并从所述直流负极端子流出所述功率半导体模块。

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