昆明理工大学侯彦青获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118047381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410163680.2，技术领域涉及：C01B33/035；该发明授权一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法是由侯彦青;袁兴平;廖华;赵丹;陈凤阳;郭李杰;吕庆辉;张旗设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子级多晶硅生产制备技术领域，公开一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，该方法包括：加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H22和含有痕量BCl33杂质的SiHCl33；当通入含有痕量BCl33杂质的SiHCl33时，控制所述气相升温至400‑600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950‑1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950‑1200℃；通入含有痕量BCl33杂质的SiHCl33时间为100‑105h，总生产时间为110‑120h，全程通入H22。该方法通过三个阶段的温度控制和气体流量控制，实现了对多晶硅生产过程的精确控制，避免了硼杂质的过度引入，同时优化了还原炉的能耗和生产效率。
本发明授权一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，其特征在于，包括以下步骤： 加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H2和含有痕量BCl3杂质的SiHCl 当通入含有痕量BCl杂质的SiHCl时，控制硅棒温度将所述气相升温至400-600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950-1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950-1200℃； 通入含有痕量BCl杂质的SiHCl时间为100-105h，总生产时间为110-120h，全程通入H 所述降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法在还原炉中进行，所述还原炉为外环与内环的两环排布设计的还原炉。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学，其通讯地址为：650000 云南省昆明市五华区一二一大街文昌路68号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励