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龙图腾网获悉科磊股份有限公司申请的专利基于衍射的叠对误差计量的改进目标获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117546092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280043764.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于衍射的叠对误差计量的改进目标是由I·戈多尔;Y·卢巴舍夫斯基;D·内格里;E·哈贾;V·莱温斯基设计研发完成，并于2022-10-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于衍射的叠对误差计量的改进目标在说明书摘要公布了：一种用于半导体计量的方法包含将第一及第二上覆膜层沉积于半导体衬底上及图案化所述层以界定叠对目标。所述目标包含：所述第一层中的第一光栅图案，其包含在第一方向上定向的至少第一线性光栅及在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的至少第二线性光栅；及所述第二层中的第二光栅图案，其包含相同于所述第一线性光栅的至少第三线性光栅及相同于所述第二线性光栅的第四线性光栅。所述第二光栅图案分别在所述第一及第二方向上具有相对于所述第一光栅图案达第一及第二位移的标称偏移。撷取且处理所述衬底的散射测量图像以估计所述第一与第二层的图案化之间的叠对误差。

本发明授权基于衍射的叠对误差计量的改进目标在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体计量的方法，其包括： 将第一膜层沉积于半导体衬底上及沉积上覆于所述第一膜层的第二膜层； 图案化所述第一膜层及第二膜层以界定叠对目标，所述叠对目标包括： 第一光栅图案，其形成于所述第一膜层中且包括在第一方向上定向的至少第一线性光栅及在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的至少第二线性光栅；及 第二光栅图案，其形成于所述第二膜层中且包括相同于所述第一线性光栅的至少第三线性光栅及相同于所述第二线性光栅的第四线性光栅，所述第三线性光栅分别在所述第一方向的负指向及所述第二方向的负指向上具有相对于所述第一线性光栅达预定第一位移及第二位移的标称偏移；且所述第四线性光栅分别在所述第一方向的正指向及所述第二方向的所述负指向上具有相对于所述第二线性光栅达预定第三位移及预定第四位移的所述标称偏移； 使用成像组合件撷取其上已形成所述叠对目标的所述半导体衬底的散射测量图像；及 处理所述散射测量图像以估计所述第一与第二膜层的图案化之间的叠对误差， 其中所述线性光栅中的每一者包括所述线性光栅中的每一者中的至少两个平行条，所述条之间具有预界定间距，且其中所述第一线性光栅及所述第二线性光栅隔开等于所述条之间的所述预界定间距的距离。

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