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中国科学院工程热物理研究所王殿政获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院工程热物理研究所申请的专利一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117483805B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311450195.5,技术领域涉及:B22F10/85;该发明授权一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法是由王殿政;杜宝瑞;李恺伦;张心豪;张晓峰设计研发完成,并于2023-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法,首先针对目标结构件进行切片处理,分离出第二种结构的切片轮廓,之后对切片轮廓中宽度小于临界值宽度的区域进行识别和提取以生成并填充单道路线,然后通过Z字形填充策略对剩余未填充区域进行路径填充。该方法还包括一个整体偏移处理步骤,以补偿可能因刮刀铺粉过程中产生的误差。最后,通过循环迭代的方式,在每个切片层上重复路径规划过程,直至完成整个目标结构件的送粉路径规划。该方法可充分覆盖第二种材料模型的切片区域,确保全覆盖,减少材料混合污染,提高送粉效率,节约时间,具有重要的实用价值和广泛的应用前景。

本发明授权一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法在权利要求书中公布了:1.一种基于粉末床多材料增材制造的送粉路径规划方法,其特征在于,所述送粉路径规划方法在实施时至少包括如下步骤: SS1.基于目标结构件的三维模型数据,采用切片技术并基于预设的切片厚度h在预设的切片高度z处对所述目标结构件进行切片处理,生成反映所述目标结构件在高度z处横截面结构信息的二维切片轮廓,并基于所述二维切片轮廓识别和分离出所述目标结构件中第二种结构的二维切片轮廓Cz,其中,所述目标结构件为至少由两种不同金属材料组成的多金属结构件,所述第二种结构为所述目标结构件中除去基体结构之外的区域并由基体材料之外的金属材料形成的结构; SS2.将所述第二种结构的二维切片轮廓Cz进行前处理,应用几何分析算法对二维切片轮廓Cz中宽度小于临界值宽度w的区域进行识别和提取,在所提取出的区域中,根据区域的几何形状和尺寸,生成并填充单道路线Lz,其中,所述临界值宽度w为送粉装置移动单道后的撒粉宽度,所述单道路线Lz为所提取区域中心点的集合,其长度等于该区域的最大长度并平行于刮刀铺粉方向的最大距离; SS3.应用几何分析算法将所述二维切片轮廓Cz减去单道路线Lz后得到剩余未填充区域Rz,并对该剩余未填充区域Rz进行路径填充,填充过程中使用预设的Z字形填充策略,填充矢量方向垂直于刮刀铺粉方向,填充矢量宽度等于撒粉单道铺粉后的所述临界值宽度w以保持填充的均匀性和效率,通过Z字形填充得到一组填充矢量并形成为填充矢量集合Vz; SS4.将步骤SS2计算所得到的单道路线Lz以及步骤SS3计算所得到的填充矢量集合Vz合并为送粉路径集合Pz,将所述送粉路径集合Pz进行整体偏移处理,其中,所述整体偏移的大小d等于撒粉单道被刮刀铺平后的中心偏移量,以补偿可能因刮刀铺粉过程中的物理动力学效应而产生的误差,所述整体偏移的方向为刮刀铺粉方向的反方向; SS5.将切片高度z向上移动一个切片厚度h,在下一切片层上重复步骤SS2~SS4,直至切片高度z达到所述目标结构件的最大高度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院工程热物理研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区北四环西路11号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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