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中国科学院工程热物理研究所王殿政获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院工程热物理研究所申请的专利一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117464025B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311443062.5,技术领域涉及:B22F10/322;该发明授权一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法是由王殿政;张心豪;张晓峰;杜宝瑞;李恺伦;姚俊设计研发完成,并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法,通过对成形区域进行高分辨率成像、前处理和检测识别,从而准确获得具有残余粉末的区域,并根据残余粉末区域进行扫描路径填充,实现了对吸粉路径的有效规划。该方法还包括根据扫描路径填充得到的残余粉末区域图像,计算吸粉口的移动路径和顺序,并控制吸粉口按照相应的速度、加速度及方向参数进行移动,实现残余粉末的有效清理。本发明能够有效解决现有技术中由于残余粉末的存在而导致的多金属增材制造过程中的质量问题和效率问题,同时能够实现多金属增材制造过程中的精确控制,为多金属增材制造技术的发展提供了有力技术支持。

本发明授权一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法在权利要求书中公布了:1.一种用于多金属增材制造过程中的吸粉路径规划方法,其特征在于,所述吸粉路径规划方法在实施时至少包括如下步骤: SS1.在基于激光粉末床的多金属增材制造过程中,当异种材料激光选区熔化成形后,利用高分辨率相机对成形区域进行成像,得到成形区域的图像数据I=FCimg,Rfrm,其中,I表示获得的成形区域的图像数据,Rfrm为成形区域,Cimg为高分辨率相机参数并至少包括相机的分辨率、曝光时间、光圈大小及焦距,F为成像函数且N为成形区域的切片层数,Cimg_iRfrm_i为第i层切片区域Rfrm_i的图像数据; SS2.对步骤SS1获得的成形区域图像数据I进行前处理,利用预先已知的切片轮廓信息Sslc分割出基体材料区域B、异种材料区域D及所有支撑的熔凝区域S,并将各区域分别标记为不同的颜色或灰度值以进行区分,其中,I=B∪D∪S,B,D,S=PI,Sslc,P为成形区域图像数据的前处理函数并满足: 式中,Sslc_B、Sslc_D和Sslc_S分别表示基体材料、异种材料和支撑结构的切片轮廓信息; SS3.对步骤SS2分割得到的熔凝区域图像S进行检测识别,获得具有残余粉末的区域R,并将其标记为特定的颜色或灰度值以与其他区域进行区分,其中,R=GS,Tdct,Tdct为根据残余粉末的反射率、散射率和或吸收率光学特性确定的检测识别阈值,G为检测识别函数并满足: SS4.将残余粉末区域R进行扫描路径P填充,填充过程中使用Z字形填充,填充矢量方向垂直或平行于刮刀铺粉方向,填充矢量宽度小于吸粉宽度,其中,并且满足P=UR,D,Dvec,Dwidth,D是Z字形填充参数,Dvec为填充矢量方向参数,Dwidth为填充矢量宽度参数,U为填充函数并满足: 式中,P为按照Z字形填充参数D、填充矢量方向参数Dvec和填充矢量宽度参数Dwidth对残余粉末区域R进行填充后得到的扫描路径,为空集,当残余粉末区域R为空集时,扫描路径P也为空集,以避免在没有残余粉末的情况下进行无效吸粉操作; SS5.根据所述扫描路径P填充得到的残余粉末区域图像,计算吸粉口的移动路径M和顺序,并控制吸粉口按照相应的速度、加速度及方向参数进行移动,实现残余粉末的有效清理,其中,且M=WP,Vspd,Aacc,Ddir,Vspd为速度参数,Aacc为加速度参数,Ddir为方向参数,W为计算吸粉口移动路径和顺序的函数并满足: 式中,M为按照速度参数Vspd、加速度参数Aacc和方向参数Ddir对扫描路径Ps进行优化后得到的吸粉口的移动路径,为空集,当扫描路径Ps为空集时,吸粉口的移动路径M也为空集,以避免在没有扫描路径的情况下进行无效的吸粉操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院工程热物理研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区北四环西路11号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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