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龙图腾网获悉西北有色金属研究院申请的专利一种富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117447091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311717752.5，技术领域涉及：C03C17/25；该发明授权一种富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜的制备方法是由陈向艳;马通祥设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种富含氧空位的TiO22纳米阵列薄膜的制备方法，该方法在FTO表面沉积TiO22种子层，经退火后实现了结构重排，然后水热反应，最后将TiO22纳米阵列薄膜经过熔盐电脱氧，利用熔盐电解过程中处在阴极的TiO22纳米阵列薄膜发生电化学还原反应失去氧原子，产生氧空位，成功引入了缺陷能级，减小了TiO22的禁带宽度，增强了光吸收性能，且保持了TiO22的纳米阵列结构，显著强化了光生载流子的分离与传输，有望提高TiO22纳米阵列薄膜作为光电极的光电催化分解水性能，本发明所合成的富含氧空位的TiO22纳米阵列薄膜可利用工厂中的熔盐电解设备，实现可控、可重复、快速的大规模制备，操作简单，应用前景广泛。

本发明授权一种富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤一、将钛酸四丁酯溶解于无水乙醇，得到种子液； 步骤二、采用旋涂的方式将步骤一中得到的种子液涂覆在清洗干净的FTO导电基底表面，随后在空气氛围中进行退火处理，得到表面生长有TiO2种子层的FTO导电基底；所述旋涂的过程中转速为2000rmp~3000rmp，时间为20s~30s； 步骤三、将钛酸四丁酯溶解在等体积比的去离子水与浓盐酸中，形成混合溶液，将步骤二中得到的表面生长有TiO2种子层的FTO导电基底置于此混合溶液中进行水热反应，在FTO导电基底表面得到TiO2纳米阵列薄膜； 步骤四、将步骤三中得到的TiO2纳米阵列薄膜在空气氛围中进行退火处理，得到金红石相TiO2纳米阵列薄膜； 步骤五、将步骤四中得到的TiO2纳米阵列薄膜采用熔盐电解进行脱氧，得到富含氧空位的TiO2纳米阵列薄膜；所述熔盐电解选用的熔盐为LiCl-CaCl2-KCl系混合熔盐，所述LiCl-CaCl2-KCl系混合熔盐中LiCl、CaCl2和KCl的摩尔比为5：4：1，所述熔盐电解的温度为500℃~600℃，电压为2.7V~3.4V，时间为40s~3min。

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