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龙图腾网获悉同济大学申请的专利非厄密系统本征态的重构方法及重构系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117273161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311260429.X，技术领域涉及：G06N10/40；该发明授权非厄密系统本征态的重构方法及重构系统是由郭志伟;王宇倩;翦依然;孙勇;江海涛;羊亚平;陈鸿设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本非厄密系统本征态的重构方法及重构系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非厄密系统本征态的重构方法及重构系统，该重构方法包括步骤：构造n阶非厄密系统，其中n为大于等于2的整数；在n阶非厄密系统的基础上耦合连接一激发源，利用合适的幺正变换使在具有外部激励下的n阶非厄密系统的等效哈密顿量变换为反PT对称形式；基于所述反PT对称形式的等效哈密顿量计算n阶非厄密系统本征值，找到n阶非厄密系统中两类EPs之间手征性反转对应的临界条件；基于所述临界条件调节所述激励耦合系数的大小，实现两类EPs之间手征性的反转。本发明能够在不改变非厄密系统物理结构的情况下主动操纵EP的本征态。

本发明授权非厄密系统本征态的重构方法及重构系统在权利要求书中公布了：1.一种非厄密系统本征态的重构方法，其特征在于，包括步骤： 构造n阶非厄密系统，其中n为大于等于2的整数； 在n阶非厄密系统的基础上耦合连接一激发源，利用合适的幺正变换使在具有外部激励下的n阶非厄密系统的等效哈密顿量变换为反PT对称形式； 基于所述反PT对称形式的等效哈密顿量计算n阶非厄密系统本征值，找到n阶非厄密系统中两类EPs之间手征性反转对应的临界条件； 基于所述临界条件调节激励耦合系数的大小，实现两类EPs之间手征性的反转；其中， 构造的n阶非厄密系统为二阶非厄密系统；利用合适的幺正变换使在具有外部激励下的二阶非厄密系统的等效哈密顿量变换为反PT对称形式的方法为： 设激励耦合系数g＝γA，其中γA表示二阶非厄密系统中与激发源耦合连接的共振原子A的辐射损耗，具有外部激励的二阶非厄密系统的动力学方程： 其中，和分别表示二阶非厄密系统中两个共振原子A和B中的谐波模；ω0和κ分别表示二阶非厄密系统中两个共振原子A和B之间的共振频率和内部耦合系数；γB表示二阶非厄密系统中共振原子B的辐射损耗；ΓA和ΓB分别表示二阶非厄密系统中两个共振原子A和B的耗散损耗；为输入信号； 设γA＝γB，且在零反射条件下，得到具有外部激励的二阶非厄密系统的等效哈密顿量H： 利用幺正变换公式3改变表达式2的基矢， 其中，A和B为原基矢，a和b为改变后的基矢，将等效哈密顿量H变换为反PT对称形式H’： 其中，g0＝g2，ΔΓ＝ΓA-ΓB2和Γ0＝ΓA+ΓB2。

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