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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117157582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280000553.X，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由赵一静;谢超;杨宇丹;杨曦;熊韬设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种阵列基板，阵列基板包括衬底以及设置在衬底上的第一栅线、多根数据线、多个第一像素电极、多个第一晶体管和多个第一电容线。一数据线与第一栅线交叉且绝缘。一第一像素电极位于第一栅线的第一侧。一第一晶体管的栅极、第一极和第二极依次与第一栅线、数据线和第一像素电极耦接。一第一电容线在衬底上的正投影与第一像素电极在衬底上的正投影有交叠；第一电容线包括第一导电段，第一导电段靠近第一栅线，第一导电段上设有第一断口，第一断口位于充电耦接点远离数据线的一侧，且偏离第一导电段的中部；第一导电段上位于第一断口远离中部一侧的部分和第一晶体管的第二极，二者在衬底上的正投影有交叠。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，包括：衬底以及设置在所述衬底上的第一栅线、多根数据线、多个第一像素电极、多个第一晶体管和多个第一电容线；其中， 所述第一栅线具有在所述第一栅线的宽度方向上相对的第一侧和第二侧； 一数据线与所述第一栅线交叉且绝缘； 一第一像素电极位于所述第一栅线的第一侧； 一第一晶体管的栅极、第一极和第二极依次与所述第一栅线、所述数据线和所述第一像素电极耦接； 一第一电容线在所述衬底上的正投影与所述第一像素电极在所述衬底上的正投影有交叠；所述第一电容线包括第一导电段，所述第一导电段的延伸方向与所述第一栅线的延伸方向大致平行，所述第一导电段靠近所述第一栅线，所述第一导电段上设有第一断口，所述第一断口位于充电耦接点远离所述数据线的一侧，且偏离所述第一导电段的中部，所述充电耦接点为所述第一像素电极与所述第一晶体管的第二极的耦接位置，所述第一导电段的中部为所述第一导电段上位于中间且长度占总长度13的部分；所述第一导电段上位于所述第一断口远离所述中部一侧的部分和所述第一晶体管的第二极，二者在所述衬底上的正投影有交叠。

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