苏州市奥视微科技有限公司籍亚男获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州市奥视微科技有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311043479.2，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权半导体结构及其制备方法是由籍亚男;赵影设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，外延层内形成有开口，开口将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于开口表面以及外延层上表面；多个间隔设置的栅极结构，包括于隔离介质层上依次层叠的栅极与栅介质层，栅极结构与发光单元一一对应设置，且栅极结构由隔离介质层侧壁向位于侧壁两侧的隔离介质层表面延伸；有源层，位于栅介质层上，暴露位于开口侧壁的至少一侧的隔离介质层；层间介质层，覆盖有源层、栅极结构以及隔离介质层；电极层，位于层间介质层上，包括与有源层两侧分别连接的源极以及漏极。将晶体管结构内嵌于发光单元之间，使得二者进行了结合。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，形成于所述衬底上，所述外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述外延层内形成有开口，所述开口暴露所述衬底并将所述外延层分为多个发光单元； 隔离介质层，位于所述开口表面以及所述外延层上表面； 多个间隔设置的栅极结构，包括于所述隔离介质层上依次层叠的栅极与栅介质层，所述栅极结构与所述发光单元一一对应设置，且所述栅极结构由所述隔离介质层侧壁向位于所述侧壁两侧的所述隔离介质层表面延伸； 有源层，位于所述栅介质层上，暴露位于所述开口侧壁的至少一侧的所述隔离介质层；层间介质层，覆盖所述有源层、所述栅极结构以及所述隔离介质层； 电极层，位于所述层间介质层上，包括与所述有源层两侧分别连接的源极以及漏极。
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