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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利ODS-W/CuCrZr穿管结构整体模块的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117001001B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310678432.7，技术领域涉及：B22F7/06；该发明授权ODS-W/CuCrZr穿管结构整体模块的制备方法是由程继贵;许荡;付凯超;陈鹏起;陈睿智;李革民设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本ODS-W/CuCrZr穿管结构整体模块的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有梯度中间层的氧化弥散强化钨铜铬锆穿管结构整体模块的制备方法及由该方法制备得到的带有梯度中间层的氧化弥散强化钨铜铬锆穿管结构ODS‑WCuCrZrMonoblock整体模块。所述制备方法包括如下步骤：对氧化弥散强化钨板进行钻孔加工形成通孔；利用环形垫圈和模冲在通孔中形成多层W‑Cu中间层坯体；再利用环形垫圈和模冲形成CuCrZr层坯体；然后进行SPS烧结。根据本发明的具有梯度中间层的氧化弥散强化钨铜铬锆穿管结构具有高导热、良好的结合强度和热负荷性能。

本发明授权ODS-W/CuCrZr穿管结构整体模块的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有梯度中间层的氧化弥散强化钨铜铬锆穿管结构整体模块的制备方法，其包括如下步骤： 步骤一：对氧化弥散强化钨板进行钻孔加工形成通孔，并进行清洁处理； 步骤二：制备第一环形垫圈至第n+2环形垫圈，该第一环形垫圈至第n+1环形垫圈具有不同的外径和内径，该第一环形垫圈至第n+1环形垫圈的外径和内径依次减小，且第一环形垫圈的外径与所述通孔的内径相同，第二环形垫圈的外径与第一环形垫圈的内径相同，基于同样的规律，第n+1环形垫圈的外径与第n环形垫圈的内径相同，第n+2环形垫圈的外径为第一环形垫圈的外径相同，内径与第n+1环形垫圈的内径相同； 步骤三：制备第一模冲至第n+1模冲，该第一模冲至第n+1模冲的外径分别与所述第一环形垫圈至第n+1环形垫圈的内径相同，使得模冲能够插入并固定在环形垫圈的孔中； 步骤四：将两个第一环形垫圈分别放置在所述通孔的底部和顶部，并在该第一环形垫圈的孔中插入第一模冲，使该第一模冲分别被位于所述通孔的底部和顶部的第一环形垫圈固定在所述通孔中；向由所述通孔的内壁、所述第一模冲的外表面，和位于所述通孔的底部的第一环形垫圈和位于所述通孔的顶部的第一环形垫圈封闭的空间内加入第一W-Cu混合粉末，压实后取出分别位于所述通孔底部和顶部的第一环形垫圈，再在顶部和底部加入第一W-Cu混合粉末，压实，然后再取出所述第一模冲； 步骤五：使用第二环形垫圈和第二模冲，以与步骤四相同的方式填充第二W-Cu混合粉末，压实并取出第二环形垫圈和第二模冲；并以相同的方式依次填充并压实第三W-Cu混合粉末，直至填充并压实第nW-Cu混合粉末； 步骤六：使用第n+1环形垫圈，以及第n+1模冲，以与步骤四相同的方式填充CuCrZr粉末，压实，取出第n+1环形垫圈，不取出第n+1模冲，填充CuCrZr粉末，压实，然后在第n+1模冲的底部和顶部分别穿入第n+2环形垫圈； 步骤七：将步骤六中得到的具有粉末坯体的氧化弥散强化钨板和第n+2环形垫圈和第n+1模冲整体置入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，在烧结过程中，通过压头对所述通孔的压实的坯体施加压力，从而得到具有梯度中间层的ODS-WCuCrZrMonoblock整体模块， 梯度中间层的总厚度范围为2~6mm， 其中， n为3或4； n为3时，基于100wt%的W-Cu混合粉末的总重量， 第一W-Cu层的Cu含量为25wt%~45wt%； 第二W-Cu层的Cu含量为45wt%~65wt%； 第三W-Cu层的Cu含量为65wt%~85wt%； n为4时，基于100wt%的W-Cu混合粉末的总重量， 第一W-Cu层的Cu含量为15wt%~35wt%； 第二W-Cu层的Cu含量为35wt%~55wt%； 第三W-Cu层的Cu含量为55wt%~70wt%； 第四W-Cu层的Cu含量为70wt%~85wt%。

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