安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310547240.2，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;蒙磊;季徐芳;陈三喜;黄军;张会康设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有三线态激子富集层，相比于现有技术，有源层与下波层之间和下限制层与下波导层之间设有三线态激子富集层，在激光元件中通过能量转移使三线态激子在有源层富集，并通过自旋耦合翻转转换为辐射发光的单线态激子，使有源层中的电子空穴波函数实现接近100％的辐射复合效率，增强限制因子，实现连续振荡，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有三线态激子富集层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：有源层103与下波层102之间和下限制层101与下波导层102之间设有三线态激子富集层107,所述有源层103为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为3≥m≥1，阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合，厚度为10~80埃米，垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合，厚度为10~120埃米； 所述三线态激子富集层107为PtSe2、MoSi2N4、Bi2O2Se、BP-InSe、Sb2S3、In2S3-CdS的任意一种或任意组合的六方纳米片或中空纳米结构。
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