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龙图腾网获悉四川轻化工大学申请的专利一种磁改性三维花状N-Bi2O2CO3/g-C3N4光催化材料的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116651489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310642263.1，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种磁改性三维花状N-Bi2O2CO3/g-C3N4光催化材料的制备方法及应用是由黄勇;叶宇玲;刘小楠;邢波;张小芳;何林芯;游俊杰;周强;黄伟;郭德金设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁改性三维花状N-Bi2O2CO3/g-C3N4光催化材料的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁改性三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44光催化材料的制备方法及应用，属于无机‑有机复合纳米材料制备技术领域。所述制备方法如下：S1、制备g‑C33N44纳米片；S2、制备三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44光催化材料；S3、制备磁改性三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44光催化材料：将S2制备的三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44光催化材料分散到Fe2+2+和Fe3+3+混合溶液中，在N22保护下陈化，然后调节pH至8‑9，反应后经过滤、洗涤、烘干得到磁改性三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44光催化材料。该方法采用g‑C33N44纳米片作为牺牲模板，在高温碱性条件下，部分g‑C33N44被剥离提供C源和N源，在另外未被剥离的g‑C33N44表面原位生长N‑Bi22O22CO33，自组装形成三维花状N‑Bi22O22CO33g‑C33N44二元异质结复合材料，无需去模板工序，具有制备环保、成本较低、操作简单可控等特点。

本发明授权一种磁改性三维花状N-Bi2O2CO3/g-C3N4光催化材料的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种磁改性三维花状N-Bi2O2CO3g-C3N4光催化材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、制备g-C3N4纳米片：将三聚氰胺低温焙烧，得到g-C3N4粉末，然后将所述g-C3N4粉末加入到无水乙醇中，超声使其分散均匀，取上层悬浮液，经过滤、洗涤后冷冻干燥得到g-C3N4纳米片； S2、制备三维花状N-Bi2O2CO3g-C3N4光催化材料：在硝酸铋溶液中，加入S1制备的g-C3N4纳米片，分散得到均匀悬浮溶液，调节pH到碱性后，进行水热反应，然后经过滤、洗涤、干燥得到三维花状N-Bi2O2CO3g-C3N4光催化材料，作为前驱体； S3、制备磁改性三维花状N-Bi2O2CO3g-C3N4光催化材料：将S2制备的前驱体分散到Fe2+和Fe3+溶液中，在惰性气体保护下陈化，然后调节pH至9-10，反应后经过滤、洗涤、烘干得到磁改性三维花状N-Bi2O2CO3g-C3N4光催化材料。

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