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龙图腾网获悉珠海光库科技股份有限公司申请的专利一种铌酸锂薄膜电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116609955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310395985.1，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种铌酸锂薄膜电光调制器是由卢金龙;陆龙钊;郝婷;周赤;吉贵军;王兴龙设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铌酸锂薄膜电光调制器在说明书摘要公布了：本公开提供的一种铌酸锂薄膜电光调制器，包括：一维光子晶体，为由沿过该一维光子晶体中心点的X轴依次排布的若干第一结构单元和第二结构单元组成的单排结构，第一、第二结构单元分别位于一维光子晶体中心线的左右侧，通过在第一基本单元上刻蚀区域A11后形成第一结构单元，通过在第二基本单元上刻蚀与区域A11采用不同分布形式的区域A22后形成第二结构单元，单个第一、第二结构单元上区域A11与区域A22的大小相等；输入波导和输出波导，沿与X轴垂直的Y轴布设，且分别与一维光子晶体的上下侧连接；调制电极，沿X轴布设，且分别位于一维光子晶体的上下侧。本公开可提高电光调制器的集成度和稳定性、降低调制能耗。

本发明授权一种铌酸锂薄膜电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，包括： 一维光子晶体，是通过刻蚀铌酸锂薄膜形成，所述一维光子晶体为由沿过所述一维光子晶体中心点的X轴依次排布的若干第一结构单元和第二结构单元组成的单排结构，由所有所述第一结构单元构成所述一维光子晶体的左侧部分，由所有所述第二结构单元构成所述一维光子晶体的右侧部分，通过在第一基本单元上刻蚀区域A1后形成所述第一结构单元，通过在第二基本单元上刻蚀与所述区域A1采用不同分布形式的区域A2后形成所述第二结构单元，单个所述第一结构单元上区域A1与单个所述第二结构单元上区域A2的大小相等，且单个所述第一结构单元上的区域A1同时关于X轴和Y轴对称布设，单个所述第二结构单元上的区域A2同时关于X轴和Y轴对称布设； 输入波导和输出波导，沿与所述X轴垂直的Y轴布设，且分别与所述一维光子晶体的上下侧连接；以及 调制电极，沿所述X轴布设，且分别位于所述一维光子晶体的上下侧。

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