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龙图腾网获悉深圳市晶准通信技术有限公司申请的专利电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116566419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210339441.9，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置是由刘石生设计研发完成，并于2022-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置在说明书摘要公布了：本申请属于射频开关技术领域，提供了一种电感对、包括所述电感对的高功率非对称开关、射频收发前端芯片、集成电路芯片和电子装置，其中，电容元件的第一端、低耦合电感对的公共端共接于第一信号端，电容元件的第二端接地，低耦合电感对的第一分支端、第一半导体开关模块的第一端共接于第二信号端，第一半导体开关模块的第二端接地，低耦合电感对的第二分支端、第二半导体开关模块的第一端共接于隔离增强模块的第一端，第二半导体开关模块的第二端接地，隔离增强模块的第二端与第三信号端连接，通过增加隔离增强模块提升隔离度，从而保护接收端低噪声放大器避免受到功率放大器产生的功率泄露的影响。

本发明授权电感对、高功率非对称开关以及芯片、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种高功率非对称开关，其特征在于，应用于射频收发前端芯片，包括第一信号端、第一半导体开关模块、第二半导体开关模块、电感对、电容元件、隔离增强模块、第二信号端以及第三信号端，其中： 所述电容元件的第一端、所述电感对的公共端共接于所述第一信号端，所述电容元件的第二端接地；所述电感对的第一分支端、所述第一半导体开关模块的第一端共接于所述第二信号端，所述第一半导体开关模块的第二端接地；所述电感对的第二分支端、所述第二半导体开关模块的第一端共接于所述隔离增强模块的第一端，所述第二半导体开关模块的第二端接地；所述隔离增强模块的第二端与所述第三信号端连接，通过增加隔离增强模块形成非对称开关；所述电感对的第一分支端和第二分支端分别为所述电感对的合并微带线的首端和尾端； 所述隔离增强模块包括微带线和第三半导体开关模块，所述电感对包括第一电感和第二电感，其中，所述微带线的第一端连接于所述第二电感的第二端，所述微带线的第二端与所述第三半导体开关模块的第一端共接于所述第三信号端，所述第三半导体开关模块的第二端接地，所述第一电感和第二电感中的每个均包括具有第一端和第二端的微带线，所述第一电感和所述第二电感的微带线连接在一起形成具有首端和尾端的一合并微带线，其中，所述第一电感的微带线的第一端作为所述合并微带线的首端，所述第二电感的微带线的第二端作为所述合并微带线的尾端，所述第一电感的微带线的第二端和所述第二电感的微带线的第一端连接在一起作为所述电感对的公共端，所述合并微带线在所述射频收发前端芯片中绕成两个螺旋图案，并且当所述电感对处于工作状态时，形成所述两个螺旋图案的微带线中的电流所导致的感应磁场的方向是相反的； 当所述第一信号端与所述第二信号端之间的信号链路导通，所述第一半导体开关模块关断，所述第二半导体开关模块和所述第三半导体开关模块同时导通，所述第一信号端与所述第二信号端形成π型低通滤波网络，信号在所述第一信号端与所述第二信号端之间传输，所述第一信号端与所述第二信号端之间处于导通状态，所述第一信号端与所述第三信号端形成两级L型电感网络，所述第一信号端与所述第三信号端之间处于阻抗失匹状态，信号在所述第一信号端与所述第三信号端形成强反射，信号传播受阻，所述第一信号端与所述第三信号端处于关断状态； 所述第一电感和所述第二电感在衬底生成的感应涡流的电流方向相反，所述第一电感中的交叉部分通过空气桥设置，所述第二电感中的交叉部分通过空气桥设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市晶准通信技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区深南大道10128号南山软件园东塔楼807-808室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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