安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310534305.X，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件是由李水清;王星河;黄军;张会康;蒙磊;季徐芳;陈三喜;胡志勇;张江勇设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件。该激光元件的上限制层与上波导层之间、下限制层与下波导层之间均有应变极性拓扑层；该层为SrZnSO、PbTiO33、Ta22PdS55、CdPS33、SrTiO33、hBN一种以上形成的三维高阶拓扑超晶格结构；应变极性拓扑层产生极性反涡和极性拓扑特性，降低有源层的极化效应，提升载流子注入均匀性，并增强可调谐二次谐波和非线性光学性质，使激光沿着有源层方向传播，防止光泄漏到衬底，抑制衬底模式，提升远场图像质量，将内部光场更多限制在上波导层和下波导层中间，降低光学损耗，提升激光器的模式增益，增强限制因子和增益均匀性，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。
本发明授权一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102，有源层103、上波导层104、电子阻挡层105、上限制层106，其特征在于：所述下限制层101与下波导层102之间设置有第一应变极性拓扑层1071，所述上波导层104与电子阻挡层105之间设置有第二应变极性拓扑层1072，所述第一应变极性拓扑层1071和第二应变极性拓扑层1072相同或相异，且均为SrZnSO、PbTiO3、Ta2PdS5、CdPS3、SrTiO3、六方氮化硼hBN中的任意两种以上组合形成的三维高阶拓扑超晶格结构。
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