同济大学向大为获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种基于开关振荡的磁芯损耗测量系统与方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116559739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310636207.7,技术领域涉及:G01R33/12;该发明授权一种基于开关振荡的磁芯损耗测量系统与方法是由向大为;孙志文;李豪设计研发完成,并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于开关振荡的磁芯损耗测量系统与方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于开关振荡的磁芯损耗测量系统及方法,该系统包括:可调直流电源:并联在直流电容两端,用于给直流电容充电;直流电容:为磁芯损耗测试提供能量;待测磁性元件:并联在直流电容两端;调频电容:并联在待测磁性元件两端,用于调整磁芯损耗测试的目标频率;开关:第一开关安装在直流电容与可调直流电源之间,用于控制直流电容充电;第二开关安装在直流电容与待测磁性元件之间,用于激发高频振荡;信号采集模块:测量流经待测磁性元件电流和调频电容两端电压;磁芯损耗计算模块:对测量得到的电感电流、电容电压进行计算处理,得到磁芯损耗数据并绘制磁芯损耗密度曲线。与现有技术相比,本发明具有精度高、简便高效的优点。
本发明授权一种基于开关振荡的磁芯损耗测量系统与方法在权利要求书中公布了:1.一种采用基于开关振荡的磁芯损耗测量系统的方法,其特征在于,该系统包括: 可调直流电源:并联在直流电容两端,用于给直流电容充电; 直流电容:为磁芯损耗测试提供能量; 待测磁性元件:并联在直流电容两端; 调频电容:并联在待测磁性元件两端,用于调整磁芯损耗测试的目标频率; 开关:第一开关K1安装在直流电容与可调直流电源之间,用于控制直流电容充电;第二开关K2安装在直流电容与待测磁性元件之间,用于激发高频振荡; 信号采集模块:使用电流探头测量流经待测磁性元件电流iL,使用电压探头测量调频电容两端电压uC; 磁芯损耗计算模块:对测量得到的电感电流、电容电压进行计算处理,得到磁芯损耗数据并绘制磁芯损耗密度曲线; 该方法包括以下步骤: 步骤S1、直流电容充电:第一开关K1合闸,第二开关K2断开,调节可调直流电源将直流电容充电到U0; 步骤S2、待测磁性元件充能:断开第一开关K1后合闸第二开关K2,等待t0后关断第二开关K2; 步骤S3、振荡测试:测量流经待测磁性元件的电流iL与调频电容两端电压uC; 步骤S4、数据处理:计算磁芯损耗密度并绘制曲线; 根据电压电流振荡波形,磁芯损耗密度曲线中第i点对应的磁芯损耗密度和磁通密度幅值计算公式为: 1 2 其中Upeak_i、Upeak_i+1分别为电压振荡中第i与i+1个峰值;Ipeak_i、Ipeak_i+1分别为Upeak_i与Upeak_i+1时刻对应的电流振荡包络线的值;V是磁芯体积;N为待测磁性元件的匝数;A为待测磁芯截面积;为振荡角频率;Pcore_loss_i是磁芯损耗密度曲线中第i点的磁芯损耗密度。
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