北京航空航天大学祝薇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310364872.5，技术领域涉及：G01K7/18；该发明授权原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器及其制法是由祝薇;黄悦;邓元;胡少雄设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器及其制法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器及其制备方法，通过先在微型热电器件上沉积绝缘层，再在绝缘层上沉积热敏薄膜，对所得热敏薄膜进行图案化后，最终制得原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器；本发明通过高灵敏度、高响应度、高可靠性和宽响应范围的薄膜电阻式温度传感器的设计，发展兼容性微加工方法，实现了与微型热电器件的原位集成，从而进行热电器件在性能测试场景中的温差测量，优化微型热电器件的性能评估。
本发明授权原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器及其制法在权利要求书中公布了：1.一种原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1微型热电器件为面外型结构，包含基底、电极和热电臂；采用绝缘层封装所述微型热电器件的有源区； 2在步骤1处理后的微型热电器件的有源区和基底处沉积热敏薄膜，热敏薄膜跨越微型热电器件结构的高度梯度，形成包覆热电器件的稳定电连接； 3对步骤2所得集成器件中需求测量区域的热敏薄膜进行图案化，所述测量区域为单对或多对热电臂，即在封装后的热电臂上面和基底处制得原位集成微型热电器件的薄膜电阻式温度传感器。
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