买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种应用于抗辐射锁相环的环形振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116346090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310193699.7，技术领域涉及：H03K3/03；该发明授权一种应用于抗辐射锁相环的环形振荡器是由刘红侠;向琦;王树龙;陈树鹏设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于抗辐射锁相环的环形振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于抗辐射锁相环的压控振荡器，包括三级延迟单元和波形整形电路。当延迟单元的敏感节点受到高能粒子轰击时，在节点处会产生单粒子瞬态电流，使VCO的相位和频率发生变化。三级延迟单元利用反向交叉电路形成的正反馈环路，并基于单粒子效应瞬态电流特性，加速延迟电路对SET效应的恢复过程，从而具备一定的抗SET能力。此外本发明没有引入对SET敏感的偏置结点，虽然尾电流源漏端结点依然存在，但在结点处产生的SET效应会被延迟单元消耗掉，因此电路对SET不敏感。本发明有效了缓解锁相环中压控振荡器所受的辐照影响，且抗单粒子轰击能力较强，对锁相环的正常工作状态影响小。

本发明授权一种应用于抗辐射锁相环的环形振荡器在权利要求书中公布了：1.一种应用于抗辐射锁相环的环形振荡器，其特征在于，包括三级延迟单元和波形整形电路，每级的延迟单元均采用宽调谐延迟单元结构，三级延迟单元分别为延迟单元CELL1、CELL2和CELL3； 其中，延迟单元CELL1、CELL2和CELL3首尾循环相连，延迟单元CELL1的正输出端连接延迟单元CELL2的负输入端，延迟单元CELL1的负输出端连接延迟单元CELL2的正输入端，延迟单元CELL2的正输出端连接延迟单元CELL3的负输入端，延迟单元CELL2的负输出端连接延迟单元的CELL3正输入端，延迟单元的CELL3的正输出端连接延迟单元CELL1的负输入端和波形整形电路的正输入端，延迟单元CELL3的负输出端连接延迟单元CELL1的正输入端和波形整形电路的负输入端；所述波形整形电路输出作为环形振荡器VCO的输出； 每级的延迟单元包括正输入端反相器模块1、负输入端反相器模块2、PMOS差分级联电压开关逻辑3、NOMS差分级联电压开关逻辑4和尾电流管模块5； 所述正输入端反相器模块1由NMOS晶体管M1、PMOS晶体管M3组成，M1和M3的栅端相连接，并作为延迟单元的正输入端口，M1和M3的漏端相连接，并作为延迟单元的负输出端口，M3的源极连接电源，M1的源极作为节点P连接，与尾电流管模块5相连； 所述负输入端反相器模块2由NMOS晶体管M2、PMOS晶体管M4组成，M2和M4的栅端相连接，并作为延迟单元的负输入端口，M2和M4的漏端相连接，并作为延迟单元的正输出端口，M4的源极连接电源，M2的源极与节点P连接，与正输入端反相器模块1中的晶体管M1的源极连接； 所述PMOS差分级联电压开关逻辑3由两个PMOS晶体管M8和M9构成，M8的栅极连接M9的漏极和延迟单元的正输出端口，M9的栅极连接M8的漏极和延迟单元的负输出端口，形成一个负阻电路连接，M8和M9的源极均连接到电源； 所述NMOS差分级联电压开关逻辑4由两个NMOS晶体管M6和M7构成，M6的栅极连接M7的漏极和延迟单元的正输出端口，M7的栅极连接M6的漏极和延迟单元的负输出端口，形成一个负阻电路连接，M6和M7的源极均连接到地； 所述尾电流管模块5由电流管M5构成，VCO的输入控制信号Vctrl连接晶体管M5的栅极，M5漏极连接节点P，节点P与正输入端反相器模块1和负输入端反相器模块2中的晶体管M1和M2的源极相连接，M5的源极连接到地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。