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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310101595.9，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器是由李振荣;曲凡;董大伟;吴炎辉设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器，包括：输入级电路和输出级电路；所述输入级电路包括：包括第一变压器、第二变压器、反馈电阻Rf、第一晶体管M1及第一电容C1；所述输出级电路包括：第二晶体管M2、第三晶体管M3、第二电容C2、第三电容C3、第三变压器、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3以及第一电阻R1。本发明的LNA能够在保证满足在较宽的带宽内实现良好的输入输出端口阻抗匹配的前提下实现如低噪声、高增益及低功耗的良好性能指标。

本发明授权一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS工艺的低功耗高增益低噪声放大器，其特征在于，包括：输入级电路和输出级电路； 所述输入级电路包括：包括第一变压器、第二变压器、反馈电阻Rf、第一晶体管M1及第一电容C1； 所述第一晶体管M1的栅极通过所述第一变压器的次级绕组T1-2及所述第一电容C1与地GNDA连接；所述第一晶体管M1的源极与地GNDA连接；所述第一晶体管M1的漏极通过所述第二变压器的初级绕组T2-1与第一电源电压VDD1连接，所述第一晶体管M1的漏极还通过反馈电阻Rf与所述第一晶体管M1的栅极连接，射频信号输入端RFin通过所述第一变压器的初级绕组T1-1与地GNDA连接； 所述输出级电路包括：第二晶体管M2、第三晶体管M3、第二电容C2、第三电容C3、第三变压器、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3以及第一电阻R1； 所述第二晶体管M2的栅极通过所述第二变压器的次级绕组T2-2与第一电源电压VDD1连接，所述第二晶体管M2的源极与地GNDA连接，所述第二晶体管M2的漏极通过第一电感L1与第二电源电压VDD2连接，所述第二晶体管M2的漏极通过第二电容C2与第三晶体管M3的源极连接； 所述第三晶体管M3的栅极通过所述第三变压器的次级绕组T3-1与第一电源电压VDD1连接，所述第三晶体管M3的源极通过所述第三变压器的初级绕组T3-2与地GNDA连接，所述第三晶体管M3的漏极通过第一电阻R1及第二电感L2与第一电源电压VDD1连接，所述第三晶体管M3的漏极还通过第三电容C3与第三电感L3与射频信号输出端RFout连接。

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