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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310395421.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片是由张鹏辉;康凯;张剑桥;王子荣;王农华设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该内凹结构的图形化衬底的制备方法包括：提供基底，在基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，其中，光刻胶胶柱掩膜远离基底的表面凹陷；根据光刻胶胶柱掩膜，对基底进行图形化，形成多个凸起微结构，其中，多个凸起微结构均位于基底一侧表面上，多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，形成凹陷区域。利用上述方法，能够制备出周期性的内凹结构的图形化衬底，其中的多个凸起微结构远离基底的表面凹陷，在该内凹结构的图形化衬底中可以有效改善光线的传播路径，增加了光线的折射和反射次数，提高了LED芯片的光出射效率，提升了LED芯片的亮度。

本发明授权一种内凹结构的图形化衬底、制备方法及LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种内凹结构的图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使所述光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，其中，所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面凹陷； 根据所述光刻胶胶柱掩膜，对所述基底进行图形化，形成多个凸起微结构，其中，所述多个凸起微结构均位于所述基底一侧表面上，所述多个凸起微结构远离所述基底的表面凹陷，形成凹陷区域； 其中，提供基底，在所述基底的表面上形成光刻胶层，并通过图形转移技术使所述光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜，包括： 在所述基底上形成光刻胶层，并将掩膜版置于所述光刻胶层的上方，其中，所述掩膜版包括部分透光区和全透光区，且所述部分透光区的透光性由中心区域至边缘区域逐渐减小； 通过图形转移技术在所述光刻胶层上的所述部分透光区对应的区域形成所述光刻胶胶柱掩膜； 通过图形转移技术在所述光刻胶层上的所述部分透光区对应的区域形成所述光刻胶胶柱掩膜之后，还包括： 在真空中对所述光刻胶胶柱掩膜进行加热处理，以调节所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面的凹陷程度，且所述光刻胶胶柱掩膜远离所述基底的表面的凹陷程度由中心区域至边缘区域逐渐减小。

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