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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种全双工可见光通信系统及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310063928.3，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权一种全双工可见光通信系统及其制备方法是由任开琳;安原;张建华;殷录桥;路秀真设计研发完成，并于2023-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全双工可见光通信系统及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全双工可见光通信系统及其制备方法，涉及光通信领域，该通信系统包括：本体划分为发射区、直波导区和光电探测区；发射区内的本体的顶部生长第一AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层上生长第一p型GaN层、源极和栅极；第一p型GaN层上生长薄膜层和漏极；光电探测区的本体的顶部生长第二AlGaN势垒层；第二AlGaN势垒层上生长第二p型GaN层和阴极；第二p型GaN层上生长阳极。本发明在驱动晶体管的漏极嵌入包括p型GaN层的Micro‑LED，实现了驱动晶体管与Micro‑LED单片的集成，解决了可见光通信系统调制带宽较低的问题，提升了可见光通信系统的性能。

本发明授权一种全双工可见光通信系统及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全双工可见光通信系统，其特征在于，包括：本体；所述本体由左到右依次划分为发射区、直波导区和光电探测区； 所述发射区内的本体的顶部生长第一AlGaN势垒层；所述发射区内的本体与所述第一AlGaN势垒层的界面处生成第一二维电子气层；所述第一AlGaN势垒层上生长第一p型GaN层、源极和栅极；所述第一p型GaN层上生长薄膜层；所述薄膜层上生长漏极； 所述光电探测区内的本体的顶部生长第二AlGaN势垒层；所述光电探测区内的本体与所述第二AlGaN势垒层的界面处生成第二二维电子气层；所述第二AlGaN势垒层上生长第二p型GaN层和阴极；所述第二p型GaN层上生长阳极； 所述发射区内的本体、所述第一AlGaN势垒层和所述第一二维电子气层构成驱动晶体管；所述源极、所述栅极和所述漏极作为所述驱动晶体管的电极；所述第一二维电子气层、所述第一AlGaN势垒层、所述第一p型GaN层和所述薄膜层构成Micro-LED；所述漏极作为所述Micro-LED的阳极，所述第一二维电子气层作为所述Micro-LED的阴极；所述驱动晶体管用于驱动所述Micro-LED发光。

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