上海华力集成电路制造有限公司梅岭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211087795.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法是由梅岭设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法，包括：在所述半导体衬底上形成平行排列的鳍体，鳍体的表面具有硬掩膜层，并于半导体衬底上形成覆盖鳍体及硬掩膜层的第一氧化硅层；对第一氧化硅层进行研磨至暴露硬掩膜层的表面；于第一氧化硅层表面形成光刻胶层，并图形化光刻胶层以定义SDB区域；以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀硬掩膜层及鳍体，形成SDB凹槽，并去除光刻胶层；于硬掩膜层、第一氧化硅层及所述SDB凹槽中沉积第二氧化硅层；对第二氧化硅层进行研磨至暴露硬掩膜层及第一氧化硅层表面。本发明先对所述第一氧化硅层进行化学机械研磨工艺平坦化，再进行刻蚀工艺形成SDB凹槽，这样可以减少负载效应造成的深度差。
本发明授权一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效晶体管的SDB制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括： 1提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成平行排列的鳍体，不同位置的鳍体密度不同，所述鳍体的表面具有硬掩膜层，并于所述半导体衬底上形成覆盖所述鳍体及所述硬掩膜层的第一氧化硅层； 2对所述第一氧化硅层进行研磨至暴露所述硬掩膜层的表面； 3于所述第一氧化硅层表面形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层以定义SDB区域； 4以图案化的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层及所述鳍体，形成SDB凹槽，并去除所述光刻胶层； 5于所述硬掩膜层、所述第一氧化硅层及所述SDB凹槽中沉积第二氧化硅层； 6对所述第二氧化硅层进行研磨至暴露所述硬掩膜层及所述第一氧化硅层表面。
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