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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种采用自适应电流补偿的二次电源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310034470.9，技术领域涉及：H02M3/156；该发明授权一种采用自适应电流补偿的二次电源电路是由王漪婷;武岳;赵明;刘娜设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用自适应电流补偿的二次电源电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用自适应电流补偿的二次电源电路，包括：启动及电流镜产生模块向二次电源模块提供参考电流，二次电源模块接收参考电流产生二次电源，二次电源模块向输出驱动模块提供电压；所述自适应电流补偿模块向二次电源模块提供补偿电流。本发明采用带有自适应电流补偿的二次电源电路基于CMOS工艺，针对电源电压的情况对参考电平的输出进行自适应调节，使得在更宽的输入电压范围下，输出电压保持稳定；同时在低电源电压条件下，输出二次电平符合信号传输电路工作要求；提升了隔离型DCDC开关电源的传输速度和最高工作频率。

本发明授权一种采用自适应电流补偿的二次电源电路在权利要求书中公布了：1.一种采用自适应电流补偿的二次电源电路，其特征在于，包括：启动及电流镜产生模块1、二次电源模块2、输出驱动模块3和自适应电流补偿模块4； 所述启动及电流镜产生模块1向二次电源模块2提供参考电流，所述二次电源模块2接收参考电流产生二次电源，所述二次电源模块2向输出驱动模块3提供电压；所述自适应电流补偿模块4向二次电源模块2提供补偿电流； 所述启动及电流镜产生模块1包括：PMOS管1、PMOS管2、PMOS管3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、NMOS管1、NMOS管2、NMOS管3和NMOS管4； 所述PMOS管1的漏极、PMOS管2的漏极和PMOS管3的漏极相互连接并连接电源VCC，所述PMOS管2的栅极和PMOS管3的栅极相连接；所述PMOS管3的源极连接电阻R1的一端和NMOS管4的漏极；所述PMOS管2的栅极、PMOS管3的栅极、电阻R1的一端和PMOS管3的源极相互连接；所述电阻R1的另一端连接NMOS管1的漏极；所述NMOS管1的栅极同时连接NMOS管2的漏极和PMOS管1的源极；所述NMOS管2的栅极连接PMOS管1的栅极和NMOS管3的栅极；所述PMOS管2的源极连接电阻R2的一端；所述电阻R2的另一端分别连接NMOS管3的漏极和NMOS管4的栅极；所述NMOS管3的栅极和NMOS管4的源极同时连接电阻R3的一端；所述电阻R3的另一端分别连接NMOS管1的源极、NMOS管2的源极和NMOS管3的源极； 所述二次电源模块2包括：PMOS管4、PMOS管5、PMOS管6、PMOS管7、NMOS管5、NMOS管14、电阻R4、二极管Vbe和稳压二极管Dz； 所述PMOS管4的漏极、PMOS管5的漏极、PMOS管6的漏极、PMOS管7的漏极和NMOS管14的漏极依次与PMOS管3的漏极相连接；所述PMOS管4的源极连接NMOS管5的漏极；NMOS管5的栅极连接NMOS管4的栅极；NMOS管5的源极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接电阻R3的另一端；所述NMOS管5的漏极连接PMOS管4的栅极、PMOS管5的栅极、PMOS管6的栅极和PMOS管7的栅极；PMOS管7的源极连接NMOS管14的栅极和二极管Vbe的正极；所述二极管Vbe的负极和稳压二极管Dz的负极连接；所述稳压二极管Dz的正极接地； 所述输出驱动模块3包括：PMOS管9、PMOS管10、PMOS管11、NMOS管6、NMOS管7、NMOS管8、NMOS管9、电阻R5和电容C1； 所述PMOS管9的漏极、PMOS管10的漏极和PMOS管11的漏极与PMOS管7的漏极相互连接；所述PMOS管9的源极与NMOS管6的漏极、PMOS管11的栅极相连接；所述PMOS管9的栅极、PMOS管10的栅极与PMOS管10的源极相互连接；所述PMOS管10的源极与NMOS管7的漏极相连接；所述NMOS管7的源极与NMOS管6的源极共同连接NMOS管8的漏极；所述NMOS管6的栅极连接NMOS管14的源极；所述NMOS管8的源极连接NMOS管9的源极和电阻R5的一端并接地；所述NMOS管8的栅极连接NMOS管9的栅极和NMOS管9的漏极；所述NMOS管9的漏极依次连接第二参考电流Iref2和电源VCC；所述PMOS管11的源极与电阻R5的另一端相连接；所述NMOS管7的栅极与PMOS管11的栅极之间连接有电容C1；NMOS管7的栅极外接输出电压Vout； 所述自适应电流补偿模块4包括：PMOS管12、PMOS管13、PMOS管14、PMOS管15、NMOS管10、NMOS管11、NMOS管12、NMOS管13和电阻R6； 所述PMOS管12的漏极和PMOS管13的漏极相连接；所述PMOS管12的栅极、PMOS管13的栅极与PMOS管12的源极相连接；所述PMOS管12的源极依次外接第一参考电流Iref1和接地；所述PMOS管13的源极连接PMOS管14的漏极；所述PMOS管14的源极连接PMOS管15的栅极和电阻R6；所述电阻R6接地；所述PMOS管14的栅极连接NMOS管14的栅极；所述PMOS管15的源极连接NMOS管13的漏极；所述NMOS管13的源极连接NMOS管12的源极并接地，所述NMOS管12的漏极、NMOS管12的栅极和NMOS管13的栅极相互连接；所述NMOS管12的漏极连接PMOS管6的源极；所述PMOS管15的漏极连接NMOS管11的漏极；所述NMOS管11的漏极连接PMOS管5的源极和NMOS管11的栅极；所述NMOS管11的源极连接NMOS管10的源极并接地；所述NMOS管10的栅极连接NMOS管11的栅极；所述NMOS管10的漏极连接NMOS管14的源极。

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