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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种应用于MRAM中的放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111475858.X，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权一种应用于MRAM中的放大电路是由梅健平;刘铭;苏如伟;孙锋锋;朱长峰设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于MRAM中的放大电路在说明书摘要公布了：本发明提出了一种应用于MRAM中的放大电路。所述放大电路包括基础放大电路和电流差增加电路；所述基础放大电路包括两个负载MOS管；所述电流差增加电路包括两个MOS管；所述电流差增加电路中的两个MOS管对称镜像设置于所述基础放大电路的两个负载MOS管之间，并且，所述两个MOS管的各信号端口分别与所述两个负载MOS管的各端口之间进行电路连接，通过所述电流差增加电路的两个MOS管增加所述两个负载MOS管之间的电流差，使所述两个负载MOS管的漏极信号端输出的电压之间的差值增大。

本发明授权一种应用于MRAM中的放大电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于MRAM中的放大电路，其特征在于，所述放大电路包括基础放大电路和电流差增加电路； 所述基础放大电路包括负载MOS管MP0和负载MOS管MP3； 所述电流差增加电路包括MOS管MP1和MOS管MP2； 所述MOS管MP1的栅极与所述基础放大电路的负载MOS管MP0的栅极相连；所述MOS管MP1的源极与电流信号输入端相连；所述MOS管MP1的漏极与所述基础放大电路的负载MOS管MP3的漏极相连； 所述MOS管MP2的栅极与所述基础放大电路的负载MOS管MP3的栅极相连；所述MOS管MP2的源极与电流信号输入端相连；所述MOS管MP2的漏极与所述基础放大电路的负载MOS管MP0的漏极相连； 所述MOS管MP1的漏极信号输出端连接至所述MOS管MP2的栅极和负载MOS管MP3的栅极之间的连接线；所述MOS管MP2的漏极信号输出端连接至所述MOS管MP0的栅极和MOS管MP1栅极之间的连接线； 通过所述电流差增加电路的MOS管MP1和MOS管MP2增加所述负载MOS管MP0和所述负载MOS管MP3之间的电流差，使所述负载MOS管MP0和所述负载MOS管MP3的漏极信号端输出的电压之间的差值增大。

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