买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效应管版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310183759.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金属氧化物半导体场效应管版图结构是由王睿卿;高唯欢设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效应管版图结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属氧化物半导体场效应管版图结构，包括在第一方向上间隔设置的第一有源区和第二有源区；n个栅极，位于第一有源区和第二有源区上，所有的栅极沿第二方向相互平行排布，且每个栅极从第一有源区延伸至第二有源区上，其中n≥6。第一冗余栅极，位于n个栅极的一侧；第二冗余栅极，位于n个栅极的另一侧，并与第一冗余栅极相对设置。如此，通过合理的设置有源区、栅极和冗余栅极，相比现有技术，可以使得有源区的布局更加紧凑，从而减少有源区所占用的版图的面积，并减少了冗余栅极的数量。

本发明授权金属氧化物半导体场效应管版图结构在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应管版图结构，其特征在于，包括: 两个有源区，两个所述有源区分别为第一有源区和第二有源区； 第一版图区，具有用于形成第一导电类型晶体管的所述第一有源区； 第二版图区，具有用于形成第二导电类型晶体管的所述第二有源区，所述第二有源区与所述第一有源区在第一方向上间隔设置，所述第二有源区的形状为凹字形，其中，所述第二有源区具有凸起区域和凹陷区域，所述凸起区域和所述凹陷区域的宽度比满足如下关系式：1.24:1≤W1：W2≤1.32：1，其中，W1表示为凸起区域的宽度，W2表示为凹陷区域的宽度； n个栅极，位于所述第一有源区和所述第二有源区上，所有的所述栅极沿第二方向相互平行排布，且每个所述栅极从所述第一有源区延伸至所述第二有源区上，其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，n≥6； 两个冗余栅极，两个所述冗余栅极分别为第一冗余栅极和第二冗余栅极，所述第一冗余栅极位于所述n个栅极的一侧，所述第二冗余栅极位于所述n个栅极的另一侧，并与所述第一冗余栅极相对设置； 所述第一冗余栅极和所述第二冗余栅极均从所述第一有源区延伸至所述第二有源区上，且所述第一冗余栅极、所述第二冗余栅极和所述n个栅极相互平行设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。