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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利集成电路版图的通孔设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310187420.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路版图的通孔设计方法是由曹云设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路版图的通孔设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路版图的通孔设计方法，包括：查找版图中只有一个通孔的源端和漏端；判断其是否能作为待扩充通孔区域；如果能，将通孔在四个方向分别移动一定距离；如果移动后的通孔位于有源区内且移动后的通孔的正上方具有金属层，以及移动后的通孔的正上方的金属层与移动前的通孔的正上方的金属层为同一层，则在待扩充通孔区域扩充通孔；如果移动后的通孔位于有源区内且移动后的通孔的正上方不具有金属层，则将移动前的通孔的正上方的金属层扩展到移动后的通孔的地方，如果扩展后与移动后的通孔附近的金属层为同一层或者如果扩展后与移动后的通孔附近的金属层不为同一层但是满足一定的间距，则在待扩充通孔区域扩充通孔。

本发明授权集成电路版图的通孔设计方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路版图的通孔设计方法，其特征在于，包括： 步骤S1：查找版图中只有一个通孔的源端和漏端； 步骤S2：判断查找出的源端和漏端是否能作为待扩充通孔区域； 步骤S3：如果能作为待扩充通孔区域，将所述待扩充通孔区域中的通孔在第一方向、第二方向、第三方向和或第四方向分别移动一定距离，所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向分别为有源区的四个边所在的方向； 步骤S4：如果移动后的通孔位于有源区内且移动后的通孔的正上方具有金属层，则判断移动后的通孔的正上方的金属层是否与移动前的通孔的正上方的金属层为同一层，如果是同一层，则在所述待扩充通孔区域扩充通孔； 步骤S5：如果移动后的通孔位于有源区内且移动后的通孔的正上方不具有金属层，则将移动前的通孔的正上方的金属层扩展到移动后的通孔的地方，如果扩展后与移动后的通孔附近的金属层为同一层或者如果扩展后与移动后的通孔附近的金属层不为同一层但是满足一定的间距，则在所述待扩充通孔区域扩充通孔； 判断查找出的源端和漏端是否能作为待扩充通孔区域的方法包括： 如果通孔的尺寸和有源区的宽度满足判断条件，则所述通孔所在源端或漏端能作为待扩充通孔区域，所述判断条件为： ACT_W=2*CT_W+1*CT_S+2*CT_E； 其中：ACT_W为有源区的宽度，CT_W为通孔的横截面的宽度，CT_S为设计规则下相邻通孔之间的最小间距，CT_E为有源区的边缘与通孔边缘的最小距离； 扩充通孔的方法包括：在待扩充通孔区域的源端或漏端上增加一个通孔，增加的通孔和原来的通孔的间距满足一定的距离。

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