上海华力集成电路制造有限公司顾珍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利金属浮栅存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310172513.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权金属浮栅存储器及其制造方法是由顾珍;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属浮栅存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种金属浮栅存储器及其制造方法，所述方法包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底内形成沟槽；步骤S2，依次形成位于沟槽内并向上延伸的金属浮栅层和覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层；步骤S3，形成位于沟槽内并向上延伸的源线层；步骤S4，形成覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层；步骤S5，在衬底上形成字线层，字线层覆盖金属浮栅层远离源线层的一侧。通过形成覆盖金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层和覆盖金属浮栅层顶部的第二氮化硅层，可以防止金属浮栅层顶部区域的氧化，降低擦除电压，提升擦除速度。
本发明授权金属浮栅存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属浮栅存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S1，提供一衬底，在所述衬底内形成沟槽； 步骤S2，依次形成位于所述沟槽内并向上延伸的金属浮栅层和覆盖所述金属浮栅层侧壁的第一氮化硅层； 步骤S3，形成位于所述沟槽内并向上延伸的源线层； 步骤S4，形成覆盖所述金属浮栅层顶部的第二氮化硅层； 步骤S5，在所述衬底上形成字线层，所述字线层覆盖所述金属浮栅层远离所述源线层的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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