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龙图腾网获悉南通同方半导体有限公司申请的专利一种高光效倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211738876.7，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权一种高光效倒装LED芯片及其制备方法是由刘宝琴;朱剑峰;张蔚;任飞;袁林设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光效倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石图形衬底、GaN成核层、n‑GaN层、电流扩展层、量子阱发光层、电子阻挡层、p‑GaN层、反光层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电极层二；其中反光层材料为GaNAlN超晶格结构。本发明通过在p型氮化镓上生长GaNAlN超晶格反光层，并对该反光层进行刻蚀，形成周期性排列的图形，反光层被刻蚀掉的区域露出p‑GaN层，因此不会影响透明导电层与p‑GaN层的欧姆接触；这样的结构对射向p‑GaN层方向的光先进行部分反射，不仅增加了光反射，还可以减少光通过透明导电层及电极时材料对光的吸收，而对于另一部分射向电极方向的光，由高反射率DBR层再次反射，从而有效的提高了倒装LED芯片的出光效率。

本发明授权一种高光效倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高光效倒装LED芯片的制备方法，其特征在于：首先在MOCVD设备中生长，获得完整外延结构的外延片，再在外延片上进行倒装LED芯片的制备；其芯片结构由下至上包括以下结构：蓝宝石图形衬底、GaN成核层、n-GaN层、电流扩展层、量子阱发光层、电子阻挡层、p-GaN层、反光层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电极层二； 所述外延片的制备步骤如下： 1在蓝宝石图形衬底上生长GaN成核层； 2在所述GaN成核层上高温生长n-GaN层； 3在所述n-GaN层上生长电流扩展层，电流扩展层为低掺杂的n型GaN； 4在所述电流扩展层上生长InGaNGaN量子阱发光层； 5在所述InGaNGaN量子阱发光层上生长AlGaN材料的电子阻挡层； 6在所述电子阻挡层上生长p-GaN层； 7在所述p-GaN层上生长GaNAlN反光层； 所述倒装LED的制备步骤如下： 1在制备好的外延片上进行刻蚀，将GaNAlN反光层刻蚀成规则排列的图形，GaNAlN反光层被刻蚀掉的区域露出p-GaN层； 2在刻蚀过GaNAlN反光层的外延片上沉积透明导电层，透明导电层的材料为氧化铟锡； 3在透明导电层上蒸镀电极层一，电极层一的材料为CrAlTiPtAu的合金组合； 4在电极层一上蒸镀高反射率DBR层，DBR层结构为SiO2TiO2周期性交替生长； 5在高反射率DBR层上再次蒸镀电极二，电极层二的材料为CrAlTiPtAu的合金组合；高反射率DBR层有预留通孔，电极层二与电极层一进行金属互连，最终获得高光效的倒装LED芯片。

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