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龙图腾网获悉国开启科量子技术(北京)有限公司;启科量子技术(珠海)有限公司申请的专利离子阱装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211713439.X，技术领域涉及：G21K1/20；该发明授权离子阱装置是由付平;周卓俊;詹苏;韩琢;罗乐设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子阱装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种离子阱装置，包括平行设置的上层PCB板和下层PCB板，其中，上层PCB板的中部区域经挖空处理形成狭长型的第一区域，第一区域的两侧分别为上层直流电极板和上层交流电极板，上层直流电极板经分割处理形成间隔地布置的多个直流电极；下层PCB板的中部区域经挖空处理形成狭长型的第二区域，第二区域的两侧分别为下层直流电极板和下层交流电极板，其中，下层直流电极板经分割处理形成间隔地布置的多个直流电极；第一区域与第二区域连通成为离子阱装置的微粒囚禁区域；在离子阱装置的微粒囚禁区域的两端设置有端电极，端电极平行于上层PCB板和下层PCB板。本申请提出的离子阱装置实现了对单个微粒运动的控制。

本发明授权离子阱装置在权利要求书中公布了：1.一种离子阱装置，其特征在于，包括平行设置的上层PCB板和下层PCB板，其中， 上层PCB板的中部区域经挖空处理形成狭长型的第一区域，所述第一区域的两侧分别为上层直流电极板和上层交流电极板，其中，所述上层直流电极板经分割处理形成间隔地布置的多个直流电极； 下层PCB板的中部区域经挖空处理形成狭长型的第二区域，所述第二区域的两侧分别为下层直流电极板和下层交流电极板，其中，所述下层直流电极板经分割处理形成间隔地布置的多个直流电极； 其中，所述下层直流电极板位于所述上层交流电极板的下方，所述下层交流电极板位于所述上层直流电极板的下方，所述第一区域与所述第二区域连通成为所述离子阱装置的微粒囚禁区域；在所述离子阱装置的微粒囚禁区域的两端设置有端电极，所述端电极平行于上层PCB板和下层PCB板； 其中，所述多个直流电极形成的多个间隔的宽度均相同，所述多个直流电极形成的间隔的数目与待囚禁的微粒的个数相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国开启科量子技术(北京)有限公司;启科量子技术(珠海)有限公司，其通讯地址为：100193 北京市海淀区西北旺东路10号院东区5号楼一层108；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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