南方科技大学赵前程获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310161511.0，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法是由赵前程;李毅;程炜仁;杨亚涛设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件及其制备方法，属于半导体技术领域。绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件的制备方法包括：在第一晶片上生长基于III‑V族半导体材料的外延层，对外延层进行图案化处理形成微纳图案，以得到图案化后的光波导器件层；在光波导器件层上沉积第一光学介质层作为波导器件的包层；将第一光学介质层与第二晶片进行键合形成异质集成晶片。先对外延生长的III‑V族半导体材料外延层进行图案化处理形成光波导器件层，然后再进行键合处理，可以避免后续的键合操作对外延层的图案化处理产生影响，进而能够提高异质集成晶片上光波导器件的成品率，提高异质集成晶片上光波导器件的集成度。
本发明授权绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上III-V族半导体集成光子器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤一：在第一晶片上生长基于III-V族半导体材料的外延层；所述外延层至少包括牺牲层和设置于所述牺牲层上的器件层；对所述器件层进行图案化处理形成微纳图案，以得到图案化的光波导器件层；所述第一晶片为砷化镓晶片； 步骤二：在所述光波导器件层上沉积第一光学介质层作为所述光波导器件层的包层； 步骤三：在所述第一光学介质层上形成键合胶层，所述第一光学介质层和第二晶片之间通过所述键合胶层键合； 所述制备方法还包括步骤四：将所述步骤三进行键合后形成的异质集成晶片中的所述第一晶片去除；将所述第一晶片去除之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述光波导器件层上形成第二光学介质层。
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