河北博威集成电路有限公司常萌获国家专利权
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龙图腾网获悉河北博威集成电路有限公司申请的专利异构集成数控延时器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116119599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310095169.9，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权异构集成数控延时器芯片及其制备方法是由常萌;郭跃伟;段磊;卢啸;黎荣林;孔令旭设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本异构集成数控延时器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于集成电路技术领域，提供了异构集成数控延时器芯片及其制备方法，该异构集成数控延时器芯片包括：上层芯片和下层芯片；上层芯片为硅基MEMS芯片，上层芯片中设置有延时电路和参考电路；下层芯片为GaAs芯片，下层芯片中设置有开关电路和驱动电路；上层芯片和下层芯片连接，上层芯片位于下层芯片的正上方。本申请缩小了数控延时器芯片的尺寸的同时减小了功耗。
本发明授权异构集成数控延时器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异构集成数控延时器芯片，其特征在于，包括：上层芯片和下层芯片； 所述上层芯片为硅基MEMS芯片，所述上层芯片中设置有延时电路和参考电路； 所述下层芯片为GaAs芯片，所述下层芯片中设置有开关电路和驱动电路； 所述上层芯片和所述下层芯片连接，所述上层芯片位于所述下层芯片的正上方； 所述上层芯片为单层硅基MEMS芯片或者双层硅基MEMS芯片，所述双层硅基MEMS芯片设置有双层硅基衬底，所述单层硅基MEMS芯片设置有一层硅基衬底；所述单层硅基MEMS芯片的硅基衬底厚度为390-410um，所述双层硅基MEMS芯片的硅基衬底厚度为780-820um；所述GaAs芯片的砷化镓衬底厚度为70um； 其中，所述开关电路被配置为宽带器件，并且在进行同位数不同需求的延时器设计时，所述下层芯片的开关电路和驱动电路被设置为，在所述上层芯片被重新设计时保持不变。
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