中国科学院半导体研究所占文康获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310167451.3，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由占文康;赵超;沈超;徐波;王占国设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器领域，具体涉及垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括衬底；缓冲结构覆盖于锗硅或锗衬底表面包括：成核层与衬底表面接触，用于在衬底的表面提供成核点；第一缓冲层覆盖于成核层上，用于合并成核层三维岛结构，并形成无反相畴的表面；第二缓冲层覆盖于第一缓冲层上，用于提供平整的表面；谐振腔设置于缓冲结构上，包括：第一布拉格反射镜位于第二缓冲层上，用于反射激光器内的光形成激光振荡；第二布拉格反射镜与第一布拉格反射镜通过有源层分隔开，用于反射激光器内的光形成激光振荡；有源层用于提供增益产生激光；电极设置于谐振腔内或与衬底接触，用于电流的注入。
本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，包括： 衬底，所述衬底为锗衬底或锗硅衬底； 缓冲结构，覆盖于所述衬底表面，包括： 成核层，与所述衬底表面接触，用于在所述衬底的表面提供成核点； 第一缓冲层，覆盖于所述成核层上，用于合并成核层三维岛结构，并形成无反相畴的表面； 第二缓冲层，覆盖于所述第一缓冲层上，用于提供平整的表面； 谐振腔，设置于所述缓冲结构上，包括： 第一布拉格反射镜，位于所述第二缓冲层上，用于反射所述激光器内的光形成激光振荡； 第二布拉格反射镜，与所述第一布拉格反射镜通过有源层分隔开，用于反射所述激光器内的光形成激光振荡； 有源层，为III-V族化合物构成的量子点材料，用于提供增益产生激光； 电极，设置于所述谐振腔内，用于电流的注入。
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