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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211462501.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片是由王子荣;康凯;陆前军;向炯设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片。该图形化蓝宝石衬底的制备方法包括：在蓝宝石基晶片表面进行光刻胶掩膜制备；通过第一等离子源对所述蓝宝石基晶片进行刻蚀以形成第一图形化区域，并在刻蚀过程中生成刻蚀产物，以及同时通过第二等离子源与所述刻蚀产物反应生成二次掩膜，以使所述二次掩膜沉积在被刻蚀表面，其中，所述第一图形化区域侧面的沉积效果大于底部沉积效果，刻蚀效果大于所述二次掩膜沉积效果；通过第一等离子体源对所述第一图形化区域进行图形修饰刻蚀，以得到蓝宝石基三维图形。通过采用上述方案，解决了现有的图形化蓝宝石衬底的制备方法存在横向刻蚀控制能力不足、整体刻蚀时间过长的问题。

本发明授权一种图形化蓝宝石衬底、制备方法和LED外延片在权利要求书中公布了：1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，其特征在于，包括： 在蓝宝石基晶片表面进行光刻胶掩膜制备； 通过第一等离子源对所述蓝宝石基晶片进行刻蚀以形成第一图形化区域，并在刻蚀过程中生成刻蚀产物，以及同时通过第二等离子源与所述刻蚀产物反应生成二次掩膜，以使所述二次掩膜沉积在被刻蚀表面，其中，所述第一图形化区域侧面的沉积效果大于底部沉积效果，刻蚀效果大于所述二次掩膜沉积效果，以增强所述第一图形化区域的横向刻蚀能力；通过所述第一等离子源对所述第一图形化区域进行刻蚀以形成第二图形化区域，并在刻蚀过程中生成刻蚀产物，以及同时通过第三等离子源与所述刻蚀产物反应生成三次掩膜，以使所述三次掩膜沉积在被刻蚀表面，其中，光刻胶残留区域的沉积效果大于非光刻胶残留区域的沉积效果，刻蚀效果大于所述三次掩膜沉积效果，以增强所述第二图形化区域的纵向刻蚀能力；通过所述第一等离子源对所述第二图形化区域进行图形修饰刻蚀，以得到蓝宝石基三维图形； 或者，通过所述第一等离子源对所述蓝宝石基晶片进行刻蚀以形成所述第一图形化区域，并在刻蚀过程中生成刻蚀产物，以及同时通过第三等离子源与所述刻蚀产物反应生成所述三次掩膜，以使所述三次掩膜沉积在被刻蚀表面，其中，光刻胶残留区域的沉积效果大于非光刻胶残留区域的沉积效果，刻蚀效果大于三次掩膜沉积效果；通过所述第一等离子源对所述第一图形化区域进行刻蚀以形成所述第二图形化区域，并在刻蚀过程中生成刻蚀产物，以及同时通过第二等离子源与所述刻蚀产物反应生成所述二次掩膜，以使所述二次掩膜沉积在被刻蚀表面，其中，所述第二图形化区域侧面的沉积效果大于底部沉积效果，所述刻蚀效果大于二次掩膜沉积效果；通过所述第一等离子源对所述第二图形化区域进行图形修饰刻蚀，以得到蓝宝石基三维图形。

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