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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利伪栅平坦化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166393.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权伪栅平坦化方法是由杨建国;张佰春;李娅婕设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本伪栅平坦化方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种伪栅平坦化方法，包括：提供一衬底，沉积第一氮化硅层，覆盖衬底不同区域形成的多个伪栅结构的顶部和侧壁；形成牺牲材料层，填满伪栅结构之间的间隙；回刻蚀牺牲材料层，露出位于伪栅结构顶部的第一氮化硅层；通过湿法刻蚀去除露出的位于伪栅结构顶部和部分侧壁的第一氮化硅层；通过干法刻蚀去除伪栅结构中的氧化物硬掩模层；依次去除牺牲材料层以及剩余的第一氮化硅层和伪栅结构中的氮化物硬掩模层；沉积第二氮化硅层，覆盖伪栅结构的顶部和侧壁；沉积层间介质层，填满伪栅结构之间的间隙；实施化学机械研磨，直至完全去除位于伪栅结构顶部的第二氮化硅层。伪栅平坦化结束后衬底不同区域的伪栅结构的高度具有均一性。

本发明授权伪栅平坦化方法在权利要求书中公布了：1.一种伪栅平坦化方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤S1，提供一衬底，所述衬底的不同区域均形成有多个伪栅结构，每个所述伪栅结构均包括自下而上层叠的栅氧化层、伪栅极、氮化物硬掩模层和氧化物硬掩模层且位于所述衬底不同区域内的氧化物硬掩模层的厚度不同，在所述衬底上沉积第一氮化硅层，覆盖所述伪栅结构的顶部和侧壁； 步骤S2，在所述衬底上形成牺牲材料层，填满所述伪栅结构之间的间隙； 步骤S3，回刻蚀所述牺牲材料层，露出位于所述伪栅结构顶部的第一氮化硅层； 步骤S4，通过湿法刻蚀去除露出的位于所述伪栅结构顶部和部分侧壁的第一氮化硅层； 步骤S5，通过干法刻蚀完全去除每个所述伪栅结构中的氧化物硬掩模层的同时使每个所述伪栅结构中的氮化物硬掩模层的厚度相同； 步骤S6，依次去除所述牺牲材料层以及剩余的所述第一氮化硅层和所述伪栅结构中的氮化物硬掩模层； 步骤S7，在所述衬底上沉积第二氮化硅层，覆盖所述伪栅结构的顶部和侧壁； 步骤S8，在所述衬底上沉积层间介质层，填满所述伪栅结构之间的间隙； 步骤S9，实施化学机械研磨，直至完全去除位于所述伪栅结构顶部的第二氮化硅层。

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