中国科学院半导体研究所张振宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种半导体回音壁微腔双稳态激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116031751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310188879.6，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种半导体回音壁微腔双稳态激光器是由张振宁;黄永箴;杨跃德;肖金龙;李建成;郝友增;绳梦伟设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体回音壁微腔双稳态激光器在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体回音壁微腔双稳态激光器，属于光纤通信和半导体激光器技术领域，包括：N面电极；N型衬底，位于N面电极上；回音壁微腔，位于N型衬底上，包括多边形腔体和直连波导结构；并且，激光器回音壁微腔为三层堆叠结构，由下到上依次是N型限制层、有源层、P型限制层；P面电极，位于P型限制层上；回音壁微腔的中间开设有一垂直的多边形通孔。本发明提供的半导体回音壁微腔双稳态激光器可以显著提高谐振腔内模式的品质因子Q值实现低阈值激射，实现双稳态稳定输出，具有模式可控、体积小、工艺简单、成品率高、成本低等优势，在光通信等领域具有重要应用价值。
本发明授权一种半导体回音壁微腔双稳态激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体回音壁微腔双稳态激光器，其特征在于，包括： N面电极1； N型衬底2，位于N面电极1上； 回音壁微腔3，位于N型衬底2上，所述回音壁微腔3的顶部设置有一P面电极窗口4，所述回音壁微腔3的中间开设有一垂直的多边形通孔5，所述回音壁微腔3用于产生两组反射模式，所述两组反射模式之间具有耦合性，所述多边形通孔5用于解除所述耦合性，形成第一反射模式和第二反射模式，所述P面电极窗口4用于电流的非均匀注入，使所述第一反射模式的场分布以外的非注入区域存储载流子，使所述第一反射模式的激射阈值和所述第二反射模式的激射阈值不同。
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