优普梅姆公司法布里斯·德沃获国家专利权
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龙图腾网获悉优普梅姆公司申请的专利用于保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法和电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116018645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180044218.5,技术领域涉及:G11C11/406;该发明授权用于保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法和电路是由法布里斯·德沃;雷诺·艾里尼亚克设计研发完成,并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法和电路在说明书摘要公布了:本发明涉及保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法,该存储器装置包括由存储器行组成的多个存储体,该方法由至少一个逻辑预防装置实现,所述逻辑预防装置被配置成将存储体的行的连续部分与子存储体分别相关联。预防逻辑还被配置成在子存储体中激活的行的数目超过临界锤击值之前完整地执行子存储体的预防性刷新周期。本发明还涉及DRAM存储器装置,这样的存储器的缓冲器电路或控制器包括用于预防行锤效应的逻辑。
本发明授权用于保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法和电路在权利要求书中公布了:1.一种保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法,所述存储器装置包括由存储器行组成的多个存储体,所述方法由至少一个预防逻辑实现,所述至少一个预防逻辑被配置成将划分每个存储体的子存储体分别限定为连续的行的部分,所述预防逻辑被配置成在每次激活给定子存储体的行时,执行使与所述给定子存储体相关联的激活计数器递增的步骤,以及所述预防逻辑被配置成执行预防性刷新序列,所述预防性刷新序列包括: -识别对所述存储器装置的子存储体中的所确定的子存储体的预防性刷新的需求的步骤; -触发用于刷新由与所确定的子存储体相关联的当前行索引指定的当前行的操作的步骤; -使与所确定的子存储体相关联的所述当前行索引递增的步骤; 其中,所述预防性刷新序列形成预防性刷新周期的进度百分比,所述预防性刷新周期引起至少刷新所确定的子存储体的所有行,并且其中,在所确定的子存储体中激活的行的数目超过临界锤击值之前,完整地执行所确定的子存储体的所述预防性刷新周期。
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