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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211689656.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法是由余开庆;朱利恒;王辉;蔡海;丁杰;何逸涛;覃荣震;肖强;罗海辉设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法。该半导体器件包括：第一元件部分，所述第一元件部分位于衬底上，所述第一元件部分为绝缘栅双极型晶体管的工作区；以及第二元件部分，所述第二元件部分位于所述衬底上，所述第二元件部分为二极管的工作区；所述第一元件部分包括：第一集电极区、第一漂移区、第一基区、第二基区、至少一个第一接触区和多个第一沟槽；所述第二元件部分包括：第二集电极区、第二漂移区、第三基区和多个第二沟槽；所述半导体器件还包括：第一接触电极和第二接触电极。通过调节逆导IGBT芯片上FRD区多晶硅栅的掺杂类型，让FRD阳极更快产生空穴注入，从而尽早让FRD进入双极导通状态，降低导通压降，消除回跳。

本发明授权半导体器件及其制造方法、导通电压回跳的优化方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一元件部分，所述第一元件部分位于衬底上，所述第一元件部分为绝缘栅双极型晶体管的工作区；以及 第二元件部分，所述第二元件部分位于所述衬底上，所述第二元件部分为二极管的工作区； 其中，所述第一元件部分包括： 第二导电类型的第一集电极区，所述第一集电极区位于衬底上； 第一导电类型的第一漂移区，所述第一漂移区位于所述第一集电极区上方； 第一导电类型的第一基区，所述第一基区位于所述第一漂移区上方； 第二导电类型的第二基区，所述第二基区位于所述第一漂移区上方； 第一导电类型的至少一个第一接触区，所述第一接触区位于所述第二基区上方，所述第一接触区具有比第一基区更高的掺杂浓度； 多个第一沟槽，每个所述第一沟槽从所述第一元件部分的远离所述第一集电极区的表面穿过所述第二基区延伸到所述第一漂移区，每个所述第一沟槽中填充有第一导电类型的填充材料，其中，至少一个所述第一接触区与至少一个所述第一沟槽邻接，以在所述绝缘栅双极型晶体管工作时，在所述第二基区中沿着所述第一沟槽形成导电沟道； 其中，所述第二元件部分包括： 第一导电类型的第二集电极区，所述第二集电极区位于所述衬底上； 第一导电类型的第二漂移区，所述第二漂移区位于所述第二集电极区上方； 第二导电类型的第三基区，所述第三基区位于所述第二漂移区上方； 多个第二沟槽，每个所述第二沟槽从所述第二元件部分的远离所述第二集电极区的表面穿过所述第三基区延伸到所述第二漂移区，至少一个所述第二沟槽中的填充材料与所述第一沟槽中的填充材料不同，以使第二沟槽具有比第一沟槽更低的电位； 其中，所述半导体器件还包括： 第一接触电极，所述第一接触电极与至少一个所述第一接触区以及所述第二基区电连接； 第二接触电极，所述第二接触电极与所述第一集电极区和所述第二集电极区电连接。

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