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龙图腾网获悉河南科技大学申请的专利一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116011180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211558997.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法及控制方法是由宋晓娜;彭增龙;宋帅;韩超杰;孙鹏;郑丹菁;吴承霖设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法及控制方法在说明书摘要公布了：一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法及控制方法，具体步骤为，基于具有持续驻留时间切换机制的功率半导体芯片温度系统模型，设计切换线性边界控制器和用来消除边界不确定性影响的切换非线性自适应边界控制器，所设计的切换线性边界控制器和切换非线性自适应边界控制器组合为切换自适应边界控制器，将求解出的切换自适应边界控制器增益用于所述的切换自适应边界控制器中，对功率半导体芯片温度进行有界收敛，实现对功率半导体芯片温度的合理控制。本发明可以有效消除系统边界上模型不确定性的影响，保证功率半导体芯片温度系统的稳定，有效地使功率半导体芯片温度系统的状态收敛到有界的范围内。

本发明授权一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体芯片温度边界控制器制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、基于具有持续驻留时间切换机制的功率半导体芯片温度系统模型，设计切换线性边界控制器和用来消除边界不确定性影响的切换非线性自适应边界控制器，其中，切换线性边界控制器采用基于切换控制器增益的负反馈边界控制器，切换非线性自适应边界控制器采用的是基于切换自适应律和径向基函数的非线性自适应边界控制器,切换线性边界控制器的输入是功率半导体芯片输出温度Tx,t，切换非线性自适应边界控制器的输入是功率半导体芯片的温度变化率Ttx,t； 功率半导体芯片温度系统模型具体表示为： Ttx,t＝AδtTxxx,t+bδtxTx,t 系统的边界条件表示为： Tx0,t＝0，TxL,t＝ut+fδtTtL,t 其中，Tx,t代表功率半导体芯片的温度，Tx0,t和TxL,t分别表示功率半导体芯片温度在0和L处关于空间的偏导数值，TtL,t表示功率半导体芯片温度在L处关于时间的偏导数值，x和t分别表示功率半导体芯片温度系统的空间和时间变量；Ttx,t和Txxx,t分别代表温度Tx,t对时间的一阶偏导数和对空间的二阶偏导数；δt是右连续的分段常值函数，代表持续驻留时间切换信号，令i是正常数，则后续δt由i表示；Aδt和bδtx分别由Ai和bix表示；Ai代表功率半导体芯片温度系统的扩散系数并满足表达:bix代表功率半导体芯片温度系统的热阻且满足表达式：由于热导率λh与产热区域的物理结构有关，因此，随着产热区域的变化，热导率λh也会发生相应的变化，所以，用代表热导率λh的变化过程；由于功率半导体芯片的材料和形状固定，所以参数ρ，cs，T和sx的变化被忽略；λh为热导率，ρ为材料密度，cs为比热，T为芯片厚度，sx为芯片表面积；关于持续驻留时间切换机制有如下说明： 说明1：持续驻留时间切换机制定义： 对任意的切换信号δt，如果同时满足下面两个条件，则δt是持续驻留时间切换信号； 1、存在无穷多个不小于正定常数τPDT的时间间隔称为τ-Portion，在每个τ-Portion上，δt的值不变； 2、连续两个τ-Portion之间的间隔称为T-Portion被不大于正定常数TPDT的时间间隔分开，其中，τPDT和TPDT分别称为持续驻留时间和持续周期，并且是大于零的常数； 说明2：表示系统第r个阶段的第q个切换时刻，r和q为正常数，表示系统在第r个阶段的T-Portion的切换次数； 切换线性边界控制器和切换非线性自适应边界控制器的具体表达式为： 切换线性边界控制器uLt： uLt＝-KiTL,t 式中：Ki表示控制器增益，TL,t表示系统的边界温度； 切换非线性自适应边界控制器uNt： 式中：表示理想权向量的估计值，表示输入是边界温度变化率TtL,t的径向基函数； 步骤2、将步骤1所设计的切换线性边界控制器和切换非线性自适应边界控制器组合为切换自适应边界控制器。

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