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龙图腾网获悉复旦大学;复旦大学义乌研究院申请的专利一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115993383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211564247.7，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器、制备方法及其应用是由孙正宗;巩鹏;袁赛霖设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器，具有这样的特征，包括：基底层、石墨烯层、金属有机骨架材料层以及电极层。该传感器以毫米晶畴的石墨烯为模板外延生长金属有机框架材料，具有良好的导电性150‑800Ωsqu和对氨气的超灵敏响应检出限低至0.1ppb，可以实现人体呼吸中痕量氨气组分的精确检测。此外，传感器还具有优秀的柔性和抗疲劳特性，可耐弯折500万次，具有进一步发展成为可穿戴柔性传感器的潜力。

本发明授权一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器在人体呼吸中氨气组分的精确检测中的应用，其特征在于，所述大晶畴石墨烯外延氨气传感器用于对人体呼出气中的痕量氨气做出响应并反映氨气的浓度，所述大晶畴石墨烯外延氨气传感器可连续弯折超过500万次且对氨气检测限达到0.1ppb， 所述大晶畴石墨烯外延氨气传感器的制备方法包括以下步骤： 步骤1，生长大晶畴单层石墨烯，并将其转移至基底上得到大晶畴单层石墨烯层， 其中，所述大晶畴单层石墨烯层厚度为纳米级，晶畴尺寸最大可达毫米级，通过化学气相沉积方法在铜基底上制得，其制备的具体步骤为： 步骤1-1，以磷酸和水的体积比为3：1的溶液为电解质，在额定电压下对铜箔进行短暂的抛光处理，电压为5V，电流为2A，持续40秒， 步骤1-2，清洗所述铜箔并充分干燥，将其置于高温与氢气氛围下退火，温度1050℃，退火30min， 步骤1-3，通入甲烷与氢气，在低压高温环境下生长，得到所述大晶畴单层石墨烯， 其中，大晶畴单层石墨烯转移至基底上的操作为：采用聚甲基丙烯酸甲酯辅助所述大晶畴单层石墨烯转移，在转移前，预先在所述大晶畴单层石墨烯表面旋涂一层分子量为50000且质量分数为6%的聚甲基丙烯酸甲酯溶液后，用酸性氯化铜溶液将铜箔刻蚀，随后转移至所述基底上； 步骤2，通过水热法在所述石墨烯表面外延生长金属有机骨架材料层，得到石墨烯-金属有机骨架复合材料， 所述金属有机骨架材料层中的金属有机骨架材料由金属离子与有机物配体通过配位作用形成，属于三方晶系，P-3c1空间群，其具有孔径尺寸为微孔或介孔的一维孔道结构，晶胞参数与所述石墨烯相匹配，所述金属离子至少包括铁、钴、镍、铜离子，所述有机物配体为稠环芳香族酚类衍生物，通过氧原子与所述金属离子配位； 步骤3，在所述石墨烯-金属有机骨架复合材料表面构筑电极，制成电阻式器件，最终得到所述大晶畴石墨烯外延氨气传感器， 其中，所述大晶畴石墨烯外延氨气传感器包括基底层、大晶畴单层石墨烯层、金属有机骨架材料层以及电极层。

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