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龙图腾网获悉龙腾半导体股份有限公司申请的专利一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211609740.6，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法是由张军亮;张园园;王荣华;李铁生设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法，解决了现有技术中存在的IEGT器件高温大电流下容易闩锁的问题。具体技术方案为：在区熔单晶硅衬底片上形成IEGT的P型dummy区，两侧刻蚀沟槽，热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层在沟槽中淀积多晶硅，形成IEGT的沟槽栅极，正面依次离子注入形成PBody区及发射区，刻蚀接触孔后，正面离子注入硼和二氟化硼形成接触孔欧姆接触区域并淀积金属，背面离子注入形成场截止FS层及集电区，并溅射背面金属。本发明通过改变IEGT器件发射极N+的Layout结构，增大了NPN晶体管发射极电阻，降低NPN管的电流增益，提高IEGT器件的抗闩锁能力。

本发明授权一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 步骤一、制备轻掺杂区熔单晶硅衬底片100； 步骤二、在区熔单晶硅衬底片上进行P+注入并推进，形成IEGT的P型dummy区200； 步骤三、在正面刻蚀沟槽300，热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层301； 步骤四、在沟槽300中淀积多晶硅，完整填充沟槽，并回刻Si晶圆表面，形成IEGT的沟槽栅极； 步骤五、正面离子注入硼B并热推进形成PBody区400； 步骤六、正面离子注入砷As并热推进形成发射区500； 步骤七、正面淀积由USG和BPSG构成的层间介质层600； 步骤八、正面刻蚀接触孔700，蚀刻体硅区域深度为发射区下方； 步骤九、正面离子注入硼B和二氟化硼BF2，形成接触孔欧姆接触区域800，并淀积金属900； 步骤十、背面离子注入形成场截止FS层101； 步骤十一、背面离子注入B形成集电区102，并溅射背面金属103； 采用上述方法制造的IEGT器件的接触孔区域4布局为间断形式，发射极N+注入区3电阻包括Trench栅极1到接触孔区域4之间的区域和沿Trench栅极1侧壁及位于接触孔间断处的电阻。

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