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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利IGBT的建模方法、装置和计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115906757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211541927.7，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权IGBT的建模方法、装置和计算机可读存储介质是由梅腾达设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT的建模方法、装置和计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种IGBT的建模方法、装置和计算机可读存储介质，该方法包括：获取电压‑电流I‑V模型和电容‑电压C‑V模型，自变量均包括第一电压和第二电压，第一电压为门极与发射极之间的电压，第二电压为集电极与发射极之间的电压，I‑V模型表征IGBT的输出电流特性，C‑V模型表征IGBT的三个非线性电容特性；由于IGBT与普通场效应晶体管之间的差异，对I‑V模型中的第二电压做了一定的修正。本申请的IGBT建模方法不限于IGBT的类型，具有普适性，可实施性较强。

本发明授权IGBT的建模方法、装置和计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种IGBT的建模方法，其特征在于，包括： 获取主函数以及子函数，所述主函数是表征场效应晶体管的输出特性的函数，所述子函数是表征IGBT的输出特性与所述场效应晶体管的输出特性的差异的函数，所述主函数以及所述子函数的自变量均包括第一电压和第二电压，所述第一电压为门极与发射极之间的电压，所述第二电压为集电极与所述发射极之间的电压，所述主函数以及所述子函数的因变量分别为预定电流，所述预定电流为所述集电极与所述发射极之间的电流； 对所述主函数与所述子函数进行预定处理，得到所述IGBT的输出特性模型，所述预定处理至少包括加和处理或者相减处理， 根据所述场效应晶体管的输出特性，建立初始主函数，包括：根据所述场效应晶体管的输出特性，建立所述初始主函数，其中，，为分段函数，，，为所述初始主函数，为所述第一电压，为所述第二电压，为所述IGBT的阈值电压，、、、以及均为第一参数， 根据所述IGBT的输出特性与所述场效应晶体管的输出特性之间的差异，建立初始子函数，包括：根据所述IGBT的输出特性与所述场效应晶体管的输出特性之间的差异，建立所述初始子函数、，其中，为所述初始子函数，以及均为第二参数。

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