ams传感器新加坡私人有限公司B·霍瓦特获国家专利权
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龙图腾网获悉ams传感器新加坡私人有限公司申请的专利制造光学元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180050481.5，技术领域涉及：B29D11/00；该发明授权制造光学元件是由B·霍瓦特;西蒙·古瑟设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造光学元件在说明书摘要公布了：一种制造光学元件的方法，该方法包括：提供基板；提供工具，该工具在第一侧上包括限定该光学元件的表面结构的区段；将该工具和该基板相对于彼此对准，并将该工具和该基板的第一侧放在一起，材料在该工具和该基板之间；将透明掩模结构定位成与该材料已经粘附到其上的该基板相邻，该掩模结构包括掩模层；发射光穿过该掩模结构来入射到该材料的部分上，以固化该材料的所述部分，其中该掩模层防止光入射到该材料的剩余部分上，使得该材料的该剩余部分未固化；以及移除该材料的未固化剩余部分。
本发明授权制造光学元件在权利要求书中公布了：1.一种制造光学元件的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基板302； 提供工具315,335，所述工具在第一侧上包括限定所述光学元件的表面结构的区段； 将所述工具和所述基板相对于彼此对准，并将所述工具和所述基板的第一侧放在一起，材料在所述工具和所述基板之间； 将透明掩模结构318定位成与所述材料已经粘附到其上的所述基板相邻，所述掩模结构包括掩模层313； 发射光314穿过所述掩模结构来入射到所述材料的部分304上，以固化所述材料的所述部分，其中所述掩模层防止光入射到所述材料的剩余部分306上，使得所述材料的所述剩余部分未固化；以及 移除所述材料的未固化剩余部分；其中，所述移除包括经由一个或多个沿垂直方向延伸的通道402,404,406提取所述材料的所述未固化剩余部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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