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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211179100.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端是由邹旭;张濛;马晓华;武玫;侯斌;杨凌设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端，该器件自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层上设置有钝化层；钝化层上设置有两个刻蚀至势垒层上表面的凹槽，两个凹槽内分别形成有用做功放的T型射频栅和用作开关的T型直流栅，且T型射频栅和T型直流栅的栅脚插入凹槽，栅帽覆盖于栅脚及凹槽两侧的钝化层上；直流栅连接有阻值大于10kΩ的栅极电阻；在沟道层上且势垒层的两端分别设置有源极和漏极；对T型直流栅施加不同的电压，可控制二维电子气沟道的开启程度，以实现功放器件的增益调节。本发明可以使得射频前端芯片面积大幅度缩减，且可以提高击穿电压，同时插入损耗减小，隔离度稳定性提高。

本发明授权一种双栅大电阻一体化器件、制备方法及射频前端在权利要求书中公布了：1.一种双栅大电阻一体化器件，其特征在于，自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中， 所述势垒层上设置有钝化层； 所述钝化层上设置有两个刻蚀至所述势垒层上表面的凹槽，两个所述凹槽内分别形成有用做功放的T型射频栅和用作开关的T型直流栅，且所述T型射频栅和所述T型直流栅的栅脚插入所述凹槽，栅帽覆盖于所述栅脚及所述凹槽两侧的钝化层上； 所述直流栅连接有阻值大于10kΩ的栅极电阻； 在所述沟道层上且所述势垒层的两端分别设置有源极和漏极； 对所述T型直流栅施加不同的电压，可控制二维电子气沟道的开启程度，以实现功放器件的增益调节； 所述栅极电阻为金属电阻，所述金属电阻通过在所述钝化层上的第一预设电阻图形区域上沉积金属而形成；所述第一预设电阻图形区域设置在晶圆上表面的钝化层上且所述源极和所述漏极所在的器件之外； 所述金属电阻为NiCr合金薄膜电阻； 所述T型直流栅与所述栅极电阻之间通过互联金属实现互联。

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