万华化学集团电子材料有限公司谢毓获国家专利权
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龙图腾网获悉万华化学集团电子材料有限公司申请的专利一种具有改善边缘效应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115816291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211583964.4，技术领域涉及：B24B37/20；该发明授权一种具有改善边缘效应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用是由谢毓;王凯设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有改善边缘效应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有改善抛光晶圆抛光后“边缘效应”缺陷的化学机械抛光垫的制备方法，通过在抛光层抛光轨迹区域下表面开设孔洞区，并对孔洞内部填充聚氨酯材料，固化后形成抛光层从而制得所述化学机械抛光垫。本发明还涉及制得的化学机械抛光垫及其在化学机械抛光中的应用。本发明的方法使抛光垫抛光轨迹区域物性发生改变，通过提高抛光轨迹中心区域抛光层的硬度来提高晶圆中心区域的研磨速率，以缓解“边缘效应”的产生。
本发明授权一种具有改善边缘效应的化学机械抛光垫、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种具有改善边缘效应的化学机械抛光垫的制备方法，包括将抛光层、粘结层、缓冲层和离型层依次粘结、压合的步骤，其特征在于，所述抛光层由以下步骤制备得到： 1将含有未反应的异氰酸酯基团的预聚体A、膨胀微球和固化剂混合均匀，经浇注机浇注至模具中得到聚氨酯“蛋糕”，加热固化后脱模； 2经定厚操作后得到抛光层片材，通过刻槽机在抛光层上表面进行沟槽雕刻； 3在抛光层的下表面，躲避上表面的沟槽位置雕刻孔洞结构； 4将含有未反应的异氰酸酯基团的预聚体B和固化剂混合后均匀倒入孔洞结构中、并抹平，经加热固化后得到所述抛光层； 所述步骤3中位于抛光层下表面雕刻的孔洞结构分布于环形抛光轨迹区域内； 所述步骤4预聚体B中未反应的异氰酸酯基团的质量分数比步骤1预聚体A中未反应的异氰酸酯基团组分高1～2wt％。
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