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龙图腾网获悉深圳智微电子科技有限公司申请的专利基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115757209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211379600.4，技术领域涉及：G06F12/0877；该发明授权基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构是由黄雄科;刘琳童;陈晓杰;杨罕;李正卫设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构在说明书摘要公布了：本发明属于电力线载波通信技术领域，具体涉及一种基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构，包括：接收通信报文数据，并缓存至多bank缓存单元；若通信报文数据为前导数据，则从多bank缓存单元读出前导数据，直到前导数据读取完毕；依据获取的当前的多bank缓存单元被访问的读、写指针所在的bank序列号，将多bank缓存单元划分为共享缓存模块和包含未读取的通信报文数据的循环缓存模块；循环缓存模块用于循环存储后续的通信报文数据；共享缓存模块用于供外部模块读、写访问；分别控制共享缓存模块和循环缓存模块被读写访问。由此，本发明解决了基带芯片缓存存储体大、功耗大以及性能差的问题。

本发明授权基带芯片缓存结构读写控制方法及基带芯片缓存结构在权利要求书中公布了：1.一种基带芯片缓存结构读写控制方法，其特征在于：包括以下步骤： 1接收通信报文数据，缓存至多bank缓存单元； 2判断所述通信报文数据是否为前导数据，若通信报文数据为前导数据，则从多bank缓存单元读出前导数据，直到前导数据读取完毕； 3前导数据读取完毕后，获取当前多bank缓存单元被访问的读、写指针以及读、写指针所在的bank序列号； 4依据读、写指针所处的bank序列号，将多bank缓存单元划分为共享缓存模块和包含未读取的通信报文数据的循环缓存模块；循环缓存模块用于循环存储后续的通信报文数据；共享缓存模块用于供外部模块读、写访问； 5控制共享缓存模块被外部模块读、写访问，将共享缓存模块中各bank映射到外部的缓存访问接口，得到映射关系；依据映射关系和共享缓存模块的使能掩码share_mask进行共享缓存模块的写入和读取；控制循环缓存模块缓存后续的通信报文数据以及被读取后续的通信报文数据，依据循环缓存模块的读使能掩码loop_rd_mask和写使能掩码loop_wr_mask对循环缓存模块进行读写访问。

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