京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司黄鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115735427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180001595.0，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由黄鹏;高涛;贵炳强;杨柯设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括基底和设置在所述基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括并列设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管包括氧化物晶体管；所述第一晶体管包括同时作为遮挡层的第一底栅电极，所述第二晶体管包括同时作为遮挡层的第二底栅电极，所述第一底栅电极和第二底栅电极同层设置。
本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括并列设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括低温多晶硅晶体管，所述第二晶体管包括氧化物晶体管；所述第一晶体管包括同时作为遮挡层的第一底栅电极，所述第二晶体管包括同时作为遮挡层的第二底栅电极； 所述驱动结构层包括：设置在所述基底上的第一导电层，设置在所述第一导电层远离所述基底一侧的有源结构层，以及设置在所述有源结构层远离所述基底一侧的源漏结构层；所述第一导电层包括同层设置且通过同一次图案化工艺同时形成的第一底栅电极和第二底栅电极；所述源漏结构层包括：设置在所述有源结构层远离所述基底一侧的第四绝缘层，设置在所述第四绝缘层上的源漏金属层，所述源漏金属层包括第一连接电极；所述第一连接电极通过第三过孔与所述第一晶体管的第一底栅电极直接连接。
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