旺宏电子股份有限公司李峯旻获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110978655.6，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权存储器装置及其制造方法是由李峯旻;赖二琨;李岱萤;林榆瑄;曾柏皓;李明修设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器装置及其制造方法。该存储装置，包括叠层及多个存储器串列。叠层设置于基板上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着第一方向穿过叠层，其中存储器串列中的一第一存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、沟道层以及存储器结构。第一导电柱及第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此分开。沟道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间。存储器结构环绕第二导电柱，其中存储器结构包括一电阻式存储器材料。
本发明授权存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 一叠层，设置于一基板上，该叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层；以及 多个存储器串列，沿着一第一方向穿过该叠层，其中这些该存储器串列中的一第一存储器串列包括： 一第一导电柱及一第二导电柱，分别沿着该第一方向延伸且彼此分开； 一沟道层，设置于该第一导电柱与该第二导电柱之间；以及 一存储器结构，环绕该第二导电柱，其中该存储器结构包括一电阻式存储器材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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