北京北方华创微电子装备有限公司林源为获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110831580.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法是由林源为设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法，其中硅花结构的制造方法包括：将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上；在预设工艺条件下，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体含有碳和氟元素；使所述刻蚀气体电离形成等离子体，并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面，所述预设工艺时间不低于60min，以在所述硅晶圆的表面形成间距为1‑100μm的多个硅花结构。采用本发明的方法制造的硅花结构，工艺简单，并能通过控制工艺时间，控制硅花结构的覆盖率。
本发明授权硅花结构及制造方法、场发射器件和光伏器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅表面制作硅花结构的制造方法，其特征在于，包括： 将待形成硅花结构的硅晶圆放入反应腔室的基座上； 在预设工艺条件下，向所述反应腔室内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体含有碳和氟元素；所述刻蚀气体包括CF4、C4F8或CHF3中的至少一种； 使所述刻蚀气体电离形成等离子体，并使所述等离子体以预设工艺时间刻蚀所述硅晶圆表面，所述预设工艺时间不低于60min，以在所述硅晶圆的表面形成间距为1-100μm的多个硅花结构，所述硅花结构呈团状，且所述硅花结构之间相互独立，具有各自的边界。
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