福州大学胡海龙获国家专利权
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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211570490.X，技术领域涉及：H10K71/20；该发明授权一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法是由胡海龙;李福山;郄媛;李仁杰;郭太良设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法，包括：在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化发光层、电子传输层、金属阴极。其中，图案化发光层是通过将含光敏剂的可交联半导体聚合物和量子点共混形成墨水，经过旋涂、曝光和显影后实现。本发明不仅对量子点表面配体无损害，不限制量子点种类以及配体类型，也有利于提高空穴传输能力，以制备出高性能图案化QLED器件。
本发明授权一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法在权利要求书中公布了：1.一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法，其特征在于： 制备过程包括：在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、图案化发光层、电子传输层、金属阴极； 其中，制备所述图案化发光层的具体过程如下： 步骤S1：预先将含光敏添加剂的可交联半导体聚合物A和量子点B共混均匀，得到墨水C； 步骤S2：在空穴传输层上，将墨水C在转速2000r，时间60s的条件下利用匀胶机旋涂成膜； 步骤S3：通过掩模曝光，使可交联半导体聚合物A发生交联反应，与其所包覆的量子点B一并形成稳固的发光层； 步骤S4：经正辛烷显影构建图案化发光层； 所述可交联半导体聚合物A为TFB、PVK、PFO、PFSO其中之一； 所述光敏添加剂为安息香二甲醚、双二苯甲酮、二苯甲酮中的一种； 所述量子点B的材料为卤素钙钛矿； 所述空穴注入层的材料为聚合物PEDOT:PSS、氧化钼、氧化镍、硫氰亚铜中的一种； 所述空穴传输层的材料为聚合物TFB、Poly-TPD、PVK、PTAA中的一种或多种的混合物。
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