扬州乾照光电有限公司吴真龙获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种多结垂直腔面发射激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211429103.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种多结垂直腔面发射激光器是由吴真龙设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多结垂直腔面发射激光器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多结垂直腔面发射激光器，通过所述在谐振腔层内的相邻两组多量子阱层之间设有隧穿结；其中，所述多量子阱层设置于所述驻波的波腹位置，通过所述波腹位置的电场强度以获得最大的激光增益效果；至少部分所述隧穿结设置于所述驻波的波节位置，且其包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层，所述隧穿结通过将至少部分P型层配置在所述波节位置以减小所述P型层的吸光。其次，所述N型层和P型层的交界面与所述波节位置具有偏离距离，进一步地，所述N型层和P型层的交界面相对所述波节位置沿所述衬底一侧偏离。如此，可将所述P型层更多地配置在所述波节的相邻位置，从而减小所述P型层的吸光，以提高整个光器的电光转换效率。
本发明授权一种多结垂直腔面发射激光器在权利要求书中公布了：1.一种多结垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括： 衬底以及沿所述衬底表面依次堆叠的N型DBR反射层、谐振腔层以及P型DBR反射层； 所述谐振腔层通过谐振形成驻波，其包括若干组多量子阱层以及设置于在相邻两组多量子阱层之间的隧穿结；其中，所述隧穿结包括沿第一方向依次层叠的N型层和P型层，且至少部分所述隧穿结设置于所述驻波的波节位置，使所述隧穿结通过将至少部分P型层配置在所述波节位置以减小所述P型层的吸光； 其中，沿所述第一方向，所述N型层和P型层的交界面与所述波节位置具有偏离距离。
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